溫度范圍內實現高性能精度1.3%最高失調漂移和1.5%增益漂移

發(fā)布時間:2023/8/3 22:36:44 訪問次數:94

模擬電壓輸出均與靈敏度水平（40~80mV/A）成正比，具體取決于模型，典型響應時間為5μs。GHS傳感器并非簡單的開環(huán)霍爾效應ASIC傳感器，該系列產品具有獨特的主集成導體，實現了梯度測量，能夠在電力電子應用中實現出色的外場抗擾度。

這些專用設計整合了通過現場驗證的技術和可編程內部溫度補償（EEPROM），從而確保在整個溫度范圍內實現高性能精度、1.3%的最高失調漂移和1.5%的增益漂移。

GHS模型設計用于各種其他應用，包括不間斷與開關模式電源、家用電器、面向DC電機驅動器的靜態(tài)轉換器和機器人。

應用包括移動寬帶網絡,支持雙存儲器通道,將存儲容量從8.0G擴展到了16G,同時還提高了存儲器帶寬。

該電路板配備了具有DXVA（全AVC/VC1/MPEG2 HW解碼）、OpenGL 4.4、DirectX 11.3、OpenGL 4.4和OpenCL 2.1的Intel HD Graphics 520。

還具有嵌入式顯示接口，包括HDMI（高達4096x2160p）與VGA接口（高達1920x1200p）之間的切換、48位LVDS和新一代嵌入式接口 - eDP。還為創(chuàng)新應用提供了采用48位LVDS、VGA和HDMI的三重獨立顯示器。

由于元件的ESL值極低，IGBT關斷所產生的電壓尖峰幾乎能完全消除。

新電容器還提供采用相同外殼的扁平繞組型號.該型號電容值為470μF，額定電壓同樣為450V DC，等效串聯(lián)電阻為0.8mΩ，等效串聯(lián)電感為25nH。在最高105°C的環(huán)境溫度和最低-75°C的冷凝溫度條件下，其電流承載能力同樣約為150A。

高壓直流EMC濾波器接口的電容器型號�？傊�，IGBT模塊與新型鏈路電路電容器相結合實現了緊湊的逆變器結構，滿足xEV或工業(yè)逆變器應用要求。

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