在300℃的溫度下穩(wěn)定運行1000小時以上。已經(jīng)對包含2個1,200V碳化硅（SiC）雙極結(jié)型晶體管（BJT）進行了測試，在室溫和300℃下分別切換了500V和200V電壓。BJT由驅(qū)動器電路控制，利用Raytheon專有的高溫碳化硅（HiTSiC）工藝制造而成。

BJT基驅(qū)動器電路和功率晶體管共同存在于單個高溫模塊之中是該行業(yè)的一個重大突破。

在許多情況下，有必要以幾十kHz的頻率切換功率級晶體管，并且需要讓驅(qū)動器電路盡可能地靠近功率晶體管。

例如，500萬次采樣/秒的12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器、內(nèi)部基準(zhǔn)電壓電路和超低功耗電壓比較器。

所有產(chǎn)品均體現(xiàn)意法半導(dǎo)體低功耗創(chuàng)新技術(shù)的優(yōu)勢，其中 FlexPowerControl(FPC)為模擬外設(shè)、USB電路和I/O端口門控電源單獨電源電壓域。數(shù)據(jù)處理模式(BAM)實現(xiàn)高能效數(shù)據(jù)采集，七種低功耗模式下面還有深度低功耗子模式，在各種工況下最大限度提升節(jié)能效果。

8字節(jié)(64比特)模塊組成，每塊上都有氯原子空穴標(biāo)記，就像機票上的掃描條形碼，攜帶每個模塊在銅層上的精確位置信息。如果其中一塊因污染或表面腐蝕而被損壞，即使銅的表面并不完美，存儲器也能很容易地擴展升級。

板對板（BTB）和線對板（WTB）單接點組設(shè)計，采用優(yōu)質(zhì)接點材料構(gòu)建而成，讓工程師能夠滿足惡劣的商業(yè)、工業(yè)、醫(yī)療、交通和固態(tài)照明應(yīng)用嚴(yán)格的成本、性能和耐用性要求。

設(shè)計和開發(fā)，表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS，無鹵素，無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mm x 6mm，占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半.