28納米制程，它的八核芯片分別是四枚主頻為2.1GHz的A15架構(gòu)芯片以及四枚主頻為1.5GHz的A7架構(gòu)芯片，HMB方案打通了不同架構(gòu)之間的連接，和此前的Exynos Octa芯片相比，Exynos 5422 Octa的處理效率最高能提升34%。

六核芯片Exynos 5260 Hexa是在Galaxy Note III Neo上使用的芯片方案。它的六核芯片分別是三枚主頻為1.7GHz的A15芯片以及三枚主頻為1.3GHz的A7芯片。

Exynos 5422 Octa還使用了HMP異核多處理方案，是一枚真正的八核芯片。

新的雙極性晶體管組合將不斷推出新品，包括采用LFPAK56D封裝的雙晶體管以及采用LFPAK56封裝的6 A、10A和15A高電流型號。

LFPAK封裝將成為雙極性晶體管領(lǐng)域緊湊式電源封裝的標(biāo)準(zhǔn)，這種封裝的雙極性晶體管，這為開發(fā)出小尺寸、高功率密度和高效率的模塊奠定了基礎(chǔ)。

通過專有的發(fā)送器/接收器反向通信協(xié)議，與無線電源發(fā)送器配合時可以實現(xiàn)更復(fù)雜的通訊，同時集成的I2C接口提供充電狀態(tài)和專有的定位指南信息。

靈活的固件和微控制器可編程性有利于調(diào)整線圈驅(qū)動電路，為多種應(yīng)用和使用場景實現(xiàn)電源傳輸效率最大化。憑借出色的電源效率和兼容最新的WPC和PMA標(biāo)準(zhǔn)，器件可使用任何兼容Qi或PMA的充電基座來為電池快速充電。對于不需要雙模功能的應(yīng)用，IDTP9022可提供僅適用于Qi標(biāo)準(zhǔn)的版本。

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