半導體生產(chǎn)設(shè)備中高功率高頻開關(guān)應(yīng)用實現(xiàn)極低導通和開關(guān)損耗
發(fā)布時間:2023/8/12 21:17:44 訪問次數(shù):144
21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導通電阻和低柵極電荷。
在這些應(yīng)用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優(yōu)勢，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助于避免直通擊穿和熱擊穿。
這意味著在太陽能逆變器、服務(wù)器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關(guān)電源、焊接設(shè)備、UPS、電池充電器和半導體生產(chǎn)設(shè)備中的高功率、高頻開關(guān)應(yīng)用里，可實現(xiàn)極低的導通和開關(guān)損耗。
這些器件在單個IC中提供2個或4個匹配通道，以及高達28位的分辨率。
通過高精度和多通道功能的組合，工程師們可以用更簡單的系統(tǒng)設(shè)計和更少的成本設(shè)計實現(xiàn)高動態(tài)范圍定位和運動感測解決方案。與其它技術(shù)不同，啟用了LDC的電感感測將低成本、高可靠性電感器用作傳感器，這些傳感器可被放置在遠離IC的位置上。
通過將多達4條通道集成在單個IC上，工程師可以通過LDC1614系列將傳感器分布設(shè)計在整個系統(tǒng)內(nèi)，與此同時，將電子元件集中在更少的印刷電路板 (PCB) 上。
新系列厚膜片式電阻器的設(shè)計，以滿足工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用的高電壓的需求，同時節(jié)省了寶貴的PCB空間。Vishay DRALORIC RCV E3設(shè)備提供了高限為400V和500V電壓元素在緊湊0805 1206外形尺寸的分別。
憑借其高電壓，RCV E3串聯(lián)電阻可以更換相同大小的多個標準的設(shè)備，以節(jié)省成本的安置和電路板空間，電源供應(yīng)器，電池充電器，真空管和轉(zhuǎn)換器。
目標應(yīng)用范圍從云連接油箱和智能垃圾桶云連接的網(wǎng)關(guān)系統(tǒng)制造機器人。
硬件平臺提供了物聯(lián)網(wǎng)連接的高速蜂窩模塊以及大量的接口到外地，也可通過云控制。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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