經(jīng)過(guò)優(yōu)化布線有助于大幅減少雜散電感以降低峰值鳴震
發(fā)布時(shí)間:2023/8/13 21:54:23 訪問(wèn)次數(shù):127
LED數(shù)碼管的半強(qiáng)角為±50°,2.6V的最高正向電壓可實(shí)現(xiàn)低功耗,每個(gè)數(shù)碼管適宜的峰值電流達(dá)60mA。所有器件都按照發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行了分組,黃色、綠色和淺橙色數(shù)碼管還按顏色進(jìn)行了分類。
對(duì)于任何具有數(shù)字式讀數(shù)的設(shè)備,設(shè)計(jì)者可以用VDMx10x0和VDMx10A1替換控制單元和面板儀表中的引線式7段數(shù)碼管。典型最終產(chǎn)品包括測(cè)試和測(cè)量設(shè)備、POS機(jī)、電信系統(tǒng)、辦公設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品和醫(yī)療設(shè)備。
這些器件符合RoHS指令,可采用紅外回流焊工藝,根據(jù)JEDEC Level 3的要求進(jìn)行了預(yù)處理。
由于具有更強(qiáng)的散熱性能和功率密度,任何一個(gè)采用5x6mm封裝的新組件都可以替換采用5x6 mm封裝的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)獨(dú)立組件。
全新封裝還采用已在PowIRStage和SupIRBuck中廣泛使用的IR專利技術(shù)單銅夾,以及經(jīng)過(guò)優(yōu)化的布線,有助于大幅減少雜散電感以降低峰值鳴震,這樣設(shè)計(jì)師就可以用25V MOSFET代替效率較低的30V組件。
新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR的新一代硅技術(shù)和嶄新的5x6mm PQFN封裝,提供功率密度的新標(biāo)準(zhǔn)。由于具有更強(qiáng)的散熱性能和功率密度,任何一個(gè)采用5x6mm封裝的新組件都可以替換采用5x6mm封裝的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)獨(dú)立組件。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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這些器件符合RoHS指令,可采用紅外回流焊工藝,根據(jù)JEDEC Level 3的要求進(jìn)行了預(yù)處理。
由于具有更強(qiáng)的散熱性能和功率密度,任何一個(gè)采用5x6mm封裝的新組件都可以替換采用5x6 mm封裝的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)獨(dú)立組件。
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