GD32F2系列MCU以先進(jìn)的緩存架構(gòu)配置了兩個(gè)獨(dú)立的SRAM存儲(chǔ)器，可支持不同的總線上的主設(shè)備同時(shí)訪問(wèn)。首次配備的支持訪問(wèn)外部SDRAM內(nèi)存的32位總線接口EXMC，能夠以更高的性價(jià)比靈活方便的進(jìn)行大容量數(shù)據(jù)緩沖擴(kuò)展與高級(jí)界面控制。

GD32F2還內(nèi)置了TFT LCD控制器從而直接驅(qū)動(dòng)液晶屏，最高可以支持SVGA 7吋800 x 600像素的RGB TFT顯示。

另外還集成了8位至14位的Camera視頻接口，便于連接數(shù)字?jǐn)z像頭并實(shí)現(xiàn)圖像采集與傳輸。

全新增強(qiáng)型GD32F2系列MCU最高時(shí)鐘頻率為120MHz，為應(yīng)對(duì)多個(gè)外設(shè)同時(shí)運(yùn)行和嵌入式軟件協(xié)議棧的資源開(kāi)銷，配備了256KB到3072KB的超大容量?jī)?nèi)置Flash及128KB到256KB的SRAM。

內(nèi)核訪問(wèn)閃存高速零等待，最高主頻下的工作性能可達(dá)150DMIPS，同主頻下的代碼執(zhí)行效率比市場(chǎng)同類Cortex-M3產(chǎn)品提高30-40%。

GD32F2采用2.6V-3.6V電源，I/O口可承受5V電平。支持高級(jí)電源管理并具備三種省電模式。在外部電池供電情況下，內(nèi)置的高精度可校準(zhǔn)實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)運(yùn)行時(shí)的待機(jī)電流低于1uA。

nvSRAM系采用其SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，可實(shí)現(xiàn)更高的容量、更快的訪問(wèn)速度和更好的性能。

兩個(gè)同步DC/DC轉(zhuǎn)換器具有低噪聲頻率同步和降低EMI/EMC。還有一個(gè)PMBus接口為自適應(yīng)電壓調(diào)節(jié)（AVS）。

20A TPS544B25和30A TPS544C25轉(zhuǎn)換器集成MOSFET，并設(shè)有小PowerStack QFN封裝，以推動(dòng)空間受限和功率密度應(yīng)用的ASIC在有線和無(wú)線通信，企業(yè)和云計(jì)算，以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng).

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