64位多CPU的ARM線速端口上的網(wǎng)絡(luò)支持及硬件加速路由和交換
發(fā)布時間:2023/8/22 21:56:04 訪問次數(shù):103
表面貼裝DIP跳線開關(guān),采用可拆卸頂側(cè)封膠密封,可用于回流焊和可洗裝配工藝。
TDD系列DIP開關(guān)屬于符合RoHS指令要求的SPDT(單刀雙擲)跳線開關(guān),設(shè)計用于表面貼裝PCB焊接,采用獨特的分支觸點設(shè)計,提高了電力可靠性。
觸點材料為銅合金,底層鍍鎳,表面鍍金,額定電流為25mA@24VDC(切換狀態(tài))和100mA@50VDC(穩(wěn)定狀態(tài)),操作力為4.9N(最大值),使用壽命為200個周期。工作溫度范圍為-30°C至85°C。
一個外殼和一個終端互連系統(tǒng)保存的消費類電子產(chǎn)品,暖通空調(diào)和固態(tài)照明的成本,線對線互連和預(yù)裝配線束莫仕同上范圍。
這讓多系統(tǒng)運營商(MSO)構(gòu)建面向未來的CPE平臺,稱該公司與凈空,以支持該領(lǐng)域推出新的服務(wù)。它是向下兼容DOCSIS 3.0 32×8具有靈活的架構(gòu),獨立的軟件開發(fā)和軟件升級與棧之間的最小耦合。也有像家庭監(jiān)控和家庭自動化,并支持各種無線網(wǎng)絡(luò)配置的新功能。
28納米FD-SOI硅技術(shù)提供電源效率在所有工作層面說,該公司,其中包括無風(fēng)扇設(shè)計,以及RF和模擬集成。
存儲器是基于一個48層的堆疊過程權(quán)利超越主流2D NAND閃速存儲器的容量,同時提高寫入/擦除可靠性耐力和升壓寫入速度。這256GB裝置適用于多種應(yīng)用,包括消費者的SSD,智能電話,平板電腦和存儲卡,以及企業(yè)的SSD的數(shù)據(jù)中心。
新的12.1“WXGA(TCG121WX)TFT-LCD顯示功能的1280 * 800的分辨率,擁有750 500CD / M2和對比度亮度:1。技術(shù)與高級寬景(AWV)技術(shù),該顯示器實現(xiàn)了在所有方向?qū)挘?5度視角:左,右,頂部和底部,并消除顏色反轉(zhuǎn)。
表面貼裝DIP跳線開關(guān),采用可拆卸頂側(cè)封膠密封,可用于回流焊和可洗裝配工藝。
TDD系列DIP開關(guān)屬于符合RoHS指令要求的SPDT(單刀雙擲)跳線開關(guān),設(shè)計用于表面貼裝PCB焊接,采用獨特的分支觸點設(shè)計,提高了電力可靠性。
觸點材料為銅合金,底層鍍鎳,表面鍍金,額定電流為25mA@24VDC(切換狀態(tài))和100mA@50VDC(穩(wěn)定狀態(tài)),操作力為4.9N(最大值),使用壽命為200個周期。工作溫度范圍為-30°C至85°C。
一個外殼和一個終端互連系統(tǒng)保存的消費類電子產(chǎn)品,暖通空調(diào)和固態(tài)照明的成本,線對線互連和預(yù)裝配線束莫仕同上范圍。
這讓多系統(tǒng)運營商(MSO)構(gòu)建面向未來的CPE平臺,稱該公司與凈空,以支持該領(lǐng)域推出新的服務(wù)。它是向下兼容DOCSIS 3.0 32×8具有靈活的架構(gòu),獨立的軟件開發(fā)和軟件升級與棧之間的最小耦合。也有像家庭監(jiān)控和家庭自動化,并支持各種無線網(wǎng)絡(luò)配置的新功能。
28納米FD-SOI硅技術(shù)提供電源效率在所有工作層面說,該公司,其中包括無風(fēng)扇設(shè)計,以及RF和模擬集成。
存儲器是基于一個48層的堆疊過程權(quán)利超越主流2D NAND閃速存儲器的容量,同時提高寫入/擦除可靠性耐力和升壓寫入速度。這256GB裝置適用于多種應(yīng)用,包括消費者的SSD,智能電話,平板電腦和存儲卡,以及企業(yè)的SSD的數(shù)據(jù)中心。
新的12.1“WXGA(TCG121WX)TFT-LCD顯示功能的1280 * 800的分辨率,擁有750 500CD / M2和對比度亮度:1。技術(shù)與高級寬景(AWV)技術(shù),該顯示器實現(xiàn)了在所有方向?qū)挘?5度視角:左,右,頂部和底部,并消除顏色反轉(zhuǎn)。
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