新型射頻前端解決方案，支持高通(Qualcomm)*最新發(fā)布的3G芯片組。

利用其專利制造工藝－銅凸倒裝晶片(CuFlip™)和TQBiHEMT－來(lái)設(shè)計(jì)性能，尺寸，效率均優(yōu)的TRITON系列產(chǎn)品。CuFlip工藝具有卓越的射頻性能與設(shè)計(jì)靈活性，同時(shí)加快制造和裝配；TQBiHEMT工藝使兩個(gè)砷化鎵（GaAs）進(jìn)程集成到一個(gè)單芯片，減少元件數(shù)并節(jié)省電路板空間。

這些流程可以讓單個(gè)芯片的模塊來(lái)提供一個(gè)集成特性， 而現(xiàn)今市場(chǎng)所有其他的解決方案需要多個(gè)芯片和/或復(fù)雜的裝配過(guò)程，TriQuint的解決方案有著無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。

高速SPI接口的90nm相變存儲(chǔ)器，集串行NOR閃存和EEPROM兩大存儲(chǔ)器的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)于一身，具有字節(jié)修改功能以及更高的寫入速度和耐寫性能。

新存儲(chǔ)器支持字節(jié)修改功能，執(zhí)行寫操作無(wú)需再擦除大數(shù)據(jù)區(qū)塊，從而使數(shù)據(jù)處理和軟件編程變得更容易。覆寫即“無(wú)擦除”功能讓工程師和設(shè)計(jì)人員能夠簡(jiǎn)化軟件開(kāi)發(fā)任務(wù)，提升系統(tǒng)性能，將存儲(chǔ)器寫時(shí)間縮短到閃存的三百分之一。

新產(chǎn)品Omneo P5Q的耐寫次數(shù)達(dá)到100萬(wàn)次，可寫數(shù)據(jù)的量次是閃存的10倍。

小占位、四端口、可提供16.5kV ESD保護(hù)、具有寬電壓和寬溫范圍的RS-485和RS-422接收器 --- ISL3217x和ISL3227x系列。

新IC的±16.5kV ESD保護(hù)均達(dá)到了業(yè)內(nèi)最佳的ESD等級(jí)，滿足HBM和IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)對(duì)接收器輸入的要求。新的ISL32177和ISL32277包括一個(gè)邏輯VL供電引腳。

四端口接收器可以和Intersil的四端口發(fā)送器ISL32172/7/9和ISL32272/4成對(duì)使用，實(shí)現(xiàn)完整的點(diǎn)到點(diǎn)4通道解決方案。