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兩顆處理器擁有充分的靈活性和良好的I/O擴(kuò)展選項(xiàng)

發(fā)布時(shí)間:2023/8/26 16:23:32 訪問次數(shù):131

S2400SC是雙路服務(wù)器主板,主板為SSI CEB板型,尺寸12*10.5英寸,采用Intel C602系列高速芯片組,對(duì)Xeon E5-2400產(chǎn)品家族提供完美支持,可以同時(shí)搭載兩顆處理器,擁有充分的靈活性和良好的I/O擴(kuò)展選項(xiàng)。

英特爾S2400SC服務(wù)器主板共有8個(gè)內(nèi)存插槽,支持RDIMM/UDIMM內(nèi)存,單條內(nèi)存支持16GB,總內(nèi)存容量最大達(dá)128GB。主板共有8個(gè)SAS/SATA端口,2個(gè)SATA 6Bb端口和4個(gè)SATA 3Gb端口,支持SATA RAID:R0、R1、R5、R10磁盤陣列模式。

新器件集成了IR最新一代功率MOSFET,擁有功能豐富的第三代SupIRBuck®控制器。

該控制器的主要性能包括可以盡量減少損耗的封裝后精確死區(qū)時(shí)間調(diào)整,以及可以優(yōu)化整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的效率的內(nèi)部智能LDO。

新器件還集成了大電流應(yīng)用所必需的實(shí)際差動(dòng)遙感功能,以及25°C到 105°C溫度范圍內(nèi)的0.5%參考電壓精度與輸入前饋和超低抖動(dòng)性能,從而將線路、負(fù)載和溫度上的整個(gè)輸出電壓精度控制在3%以內(nèi),滿足了高性能通信和計(jì)算系統(tǒng)的需求。

Vishay Dale Thin Film Mil-PRF-55342電阻通過American Society for Testing and Materials (ASTM E-595)標(biāo)準(zhǔn)測試方法的認(rèn)定,在真空環(huán)境中出氣的總質(zhì)量損失(TML)和收集的可凝揮發(fā)物(CVCM)均達(dá)到宇航等級(jí)的要求。

電阻不但具有小于-25dB的超低噪聲和小于0.1ppm/V的電壓系數(shù),還具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR,經(jīng)過激光微調(diào)后的公差低至0.1%,根據(jù)外形尺寸和TCR特性,阻值范圍為10Ω~6.19MΩ。Mil-PRF-55342薄膜器件的儲(chǔ)存穩(wěn)定率為±0.01%,提供抗靜電的格柵包裝或帶盤包裝。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

S2400SC是雙路服務(wù)器主板,主板為SSI CEB板型,尺寸12*10.5英寸,采用Intel C602系列高速芯片組,對(duì)Xeon E5-2400產(chǎn)品家族提供完美支持,可以同時(shí)搭載兩顆處理器,擁有充分的靈活性和良好的I/O擴(kuò)展選項(xiàng)。

英特爾S2400SC服務(wù)器主板共有8個(gè)內(nèi)存插槽,支持RDIMM/UDIMM內(nèi)存,單條內(nèi)存支持16GB,總內(nèi)存容量最大達(dá)128GB。主板共有8個(gè)SAS/SATA端口,2個(gè)SATA 6Bb端口和4個(gè)SATA 3Gb端口,支持SATA RAID:R0、R1、R5、R10磁盤陣列模式。

新器件集成了IR最新一代功率MOSFET,擁有功能豐富的第三代SupIRBuck®控制器。

該控制器的主要性能包括可以盡量減少損耗的封裝后精確死區(qū)時(shí)間調(diào)整,以及可以優(yōu)化整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的效率的內(nèi)部智能LDO。

新器件還集成了大電流應(yīng)用所必需的實(shí)際差動(dòng)遙感功能,以及25°C到 105°C溫度范圍內(nèi)的0.5%參考電壓精度與輸入前饋和超低抖動(dòng)性能,從而將線路、負(fù)載和溫度上的整個(gè)輸出電壓精度控制在3%以內(nèi),滿足了高性能通信和計(jì)算系統(tǒng)的需求。

Vishay Dale Thin Film Mil-PRF-55342電阻通過American Society for Testing and Materials (ASTM E-595)標(biāo)準(zhǔn)測試方法的認(rèn)定,在真空環(huán)境中出氣的總質(zhì)量損失(TML)和收集的可凝揮發(fā)物(CVCM)均達(dá)到宇航等級(jí)的要求。

電阻不但具有小于-25dB的超低噪聲和小于0.1ppm/V的電壓系數(shù),還具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR,經(jīng)過激光微調(diào)后的公差低至0.1%,根據(jù)外形尺寸和TCR特性,阻值范圍為10Ω~6.19MΩ。Mil-PRF-55342薄膜器件的儲(chǔ)存穩(wěn)定率為±0.01%,提供抗靜電的格柵包裝或帶盤包裝。

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