終端產(chǎn)品中電壓調(diào)節(jié)模塊及DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用高性能節(jié)省空間和能耗解決方案
發(fā)布時(shí)間:2023/9/2 23:28:14 訪問次數(shù):109
IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF25V芯片組不但采用了IR最新一代MOSFET硅技術(shù),還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù)(FOM)及DirectFET封裝卓越的開關(guān)和熱特性,成為一個(gè)為高頻率DC-DC開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化的解決方案,IR通過改善關(guān)鍵參數(shù)不斷提升功率MOSFET的性能。
新款IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET芯片組把低電荷及低導(dǎo)通電阻(RDS(on))與業(yè)界最低的柵極電阻(Rg)相結(jié)合,使傳統(tǒng)上由典型同步降壓轉(zhuǎn)換器的同步和控制接口產(chǎn)生的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗降到了最低。
1212外形尺寸的新款I(lǐng)HLP小尺寸、高電流電感器:IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件,具有3.0×3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的標(biāo)準(zhǔn)感值,其最高頻率可達(dá)1.0MHz。
新電感可處理高瞬態(tài)電流劍鋒,而不會(huì)出現(xiàn)硬飽和。電感采用符合RoHS指令、100%無鉛的屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu),可將蜂鳴噪聲減至很低的水平。新器件的工作溫度為-55℃~+125℃,可耐受熱沖擊、潮濕、機(jī)械沖擊和振動(dòng)。
IHLP-1212BZ-11具有0.22μH~1.5μH的感值范圍,飽和電流范圍為4.0A~7.5A,典型DCR為9.5mΩ~27.0mΩ,最大DCR為11.4mΩ~32.0mΩ。
憑借高達(dá)1.0MHz的頻率范圍,新的IHLP-1212BZ-11可用做下一代移動(dòng)設(shè)備、筆記本電腦、桌面電腦、圖形卡、便攜式游戲機(jī)、個(gè)人導(dǎo)航系統(tǒng)、個(gè)人多媒體設(shè)備和汽車系統(tǒng);低外形、高電流電源和負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器(POL);分布式電源系統(tǒng);現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)等終端產(chǎn)品中電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)以及DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的高性能、節(jié)省空間和能耗解決方案。
IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF25V芯片組不但采用了IR最新一代MOSFET硅技術(shù),還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù)(FOM)及DirectFET封裝卓越的開關(guān)和熱特性,成為一個(gè)為高頻率DC-DC開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化的解決方案,IR通過改善關(guān)鍵參數(shù)不斷提升功率MOSFET的性能。
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新電感可處理高瞬態(tài)電流劍鋒,而不會(huì)出現(xiàn)硬飽和。電感采用符合RoHS指令、100%無鉛的屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu),可將蜂鳴噪聲減至很低的水平。新器件的工作溫度為-55℃~+125℃,可耐受熱沖擊、潮濕、機(jī)械沖擊和振動(dòng)。
IHLP-1212BZ-11具有0.22μH~1.5μH的感值范圍,飽和電流范圍為4.0A~7.5A,典型DCR為9.5mΩ~27.0mΩ,最大DCR為11.4mΩ~32.0mΩ。
憑借高達(dá)1.0MHz的頻率范圍,新的IHLP-1212BZ-11可用做下一代移動(dòng)設(shè)備、筆記本電腦、桌面電腦、圖形卡、便攜式游戲機(jī)、個(gè)人導(dǎo)航系統(tǒng)、個(gè)人多媒體設(shè)備和汽車系統(tǒng);低外形、高電流電源和負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器(POL);分布式電源系統(tǒng);現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)等終端產(chǎn)品中電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)以及DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的高性能、節(jié)省空間和能耗解決方案。
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推薦技術(shù)資料
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