3.2TB閃存容量的高端Nytro WarpDrive加速卡。這是業(yè)界首款采用PCIe 3.0接口的PCIe閃存卡，可實現(xiàn)超過4.0Gb/s的可持續(xù)吞吐性能。

與中端緊湊型Nytro WarpDrive型號相比，該卡可提供兩倍閃存容量，以便客戶在減少閃存卡數(shù)量或者顯著減少SSD數(shù)量的情況下，提升基于閃存的服務(wù)器設(shè)計的存儲密度，從而增強服務(wù)器性能。

擁有800GB板載閃存，并配備智能緩存軟件和4個外部端口的高容量Nytro MegaRAID卡，能夠為多達128個SATA或SAS設(shè)備提供連接功能和MegaRAID數(shù)據(jù)保護功能。

在NMOS 晶體管中采用選擇性外延，具有類似的提升作用，能夠增強總體芯片的性能。

通過將這種技術(shù)用于這兩類晶體管，應(yīng)用材料公司推動了行業(yè)發(fā)展，以滿足日益增長的多功能移動產(chǎn)品更快和更高計算能力的需求。這種性能的提升有助于客戶實現(xiàn)更先進的功能，如提升多任務(wù)和更高品質(zhì)的圖形以及影像處理能力等。

新的NMOS(N型金屬氧化物半導體)外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要。

一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù)，繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來的領(lǐng)先地位。該應(yīng)用技術(shù)的開發(fā)符合行業(yè)在20納米節(jié)點時將外延沉積從PMOS(P型金屬氧化物半導體)向NMOS(N型金屬氧化物半導體)晶體管延伸的趨勢，推動芯片制造商打造出更快的終端，提供下一代移動計算能力。

獨特板載集成200GB閃存容量的產(chǎn)品，配套智能緩存軟件及LSI領(lǐng)先的雙核片上RAID（RoC）技術(shù)。

該產(chǎn)品擁有四個外部6Gb/s SAS+SATA端口，支持與最多128個終端設(shè)備相連，可為直接附加存儲和外部機架式磁盤機柜配置提供智能應(yīng)用加速、靈活閃存存儲和企業(yè)級數(shù)據(jù)保護功能。

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