IGZO整體性能介于LTPS和a-Si之間,電子遷移率雖不及LTPS,但5～10cm2/Vs也足以驅動以電流驅動為主的AMOLED器件;7～8道的光罩也介于兩者之間，簡化制程提高良率的同時,也不至于降低太多性能。

最重要的是，其與傳統(tǒng)a-Si之間的設備轉換，一般來說改造原有a-Si產線，LTPS需要添加靶材設備，而IGZO需要改進錫成膜設備，兩者追加投資金額在30～50%左右.

LTPS略高，但這僅僅是低世代線的改造，如果換到高世代線，情況則將大大不同，IGZO仍可維持30～50%的追加投入， 而LTPS的投入價格則無法估量，因為現(xiàn)階段還難以有穩(wěn)定可靠的高世代LTPS設備，這使IGZO在大尺寸領域比LTPS擁有先天優(yōu)勢。

每個內含4顆相位陣列IC的磚式封裝元件，整合了32個接收與16個傳送單元，具備支援16支雙極化天線的雙輸出功能，并具備多操作模式，包括同步接收水平與垂直的極化。

在毫米波晶片(millimeter-wave IC)技術開發(fā)上達到新里程碑，可望突破行動通訊的數(shù)據(jù)瓶頸，同時讓能雷達影像設備縮小到與筆記型電腦差不多的尺寸;

毫米波頻寬能支援Gbps等級的無線通訊，擴展行動骨干網路、小型蜂巢式基礎建設以及資料中心覆蓋網路布建商機。

新產品具有突破性的性能水平，擴展了ADI公司1000多種高性能射頻IC產品組合，涵蓋從天線到比特和從比特到天線的整個信號鏈。

高性能寬帶功率檢測技術ADL6010微波功率檢測器,在整個溫度范圍內提供前所未有線性度和穩(wěn)定性。

與其他基于常用非線性和非溫度穩(wěn)定性的肖特基二極管的替代元件不同，ADL6010采用一個簡單的專有線性化系統(tǒng)，可消除由源負載產生的失真，在采用低比率耦合器提取主要信號樣本的應用中，這是一個重要的優(yōu)勢。