EFM32微控制器低電流特性配合2μs喚醒時(shí)間增加電池使用壽命
發(fā)布時(shí)間:2023/9/11 9:00:59 訪問次數(shù):159
Energy Micro為ARM Cortex-M3架構(gòu)新引入了12款大I/O引腳數(shù)的微控制器產(chǎn)品，提供從8K – 128K FLASH, 2K–16K RAM。
與EFM32 MCU系列的其他封裝形式一樣，EFM32G232、EFM32G842、EFM32TG232和EFM32TG842也提供低功耗的Gecko技術(shù)。在應(yīng)用基準(zhǔn)測試中，EFM32微控制器的低電流特性，配合2μs的喚醒時(shí)間，使其至少增加了4倍的電池使用壽命。
新的QFP64器件，在功效設(shè)計(jì)和成熟封裝尤為重要的應(yīng)用中為工程師提供更多的選擇。
其QFP64封裝的EFM32 Gecko和Tiny Gecko產(chǎn)品線。
LCP5400可同時(shí)支持多個(gè)協(xié)議，其中包括ATM、PWE3、HDLC和ML/MC-PPP以及專有協(xié)議等。
由于LCP5400具備高度的可編程性，因此能夠連接至原有的非標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備上，從而實(shí)現(xiàn)后向兼容性。
LCP5400不僅可以讓單個(gè)協(xié)議路徑充分利用其雙向數(shù)據(jù)帶寬功能，而且也可同時(shí)支持三個(gè)協(xié)議共享。LCP5400包括多個(gè)可編程引擎、集成式以太網(wǎng)端口和多個(gè)ARM11處理器。
MAX8625A單電感、H橋、升/降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器適用于輸入電壓范圍為2.5V至5.5V的場合。
LCD設(shè)計(jì)可使客戶藉由系統(tǒng)選項(xiàng)，選擇與LCD Panel兼容之LCD驅(qū)動(dòng)輸出，另外在LCD點(diǎn)亮則采用RAM Mapping方式，使得系統(tǒng)更容易與LCD Panel相配。
LTC4446還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián)MOSFET。當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)1000pF負(fù)載時(shí)，高端MOSFET的快速8ns上升時(shí)間和5ns下降時(shí)間、以及低端MOSFET的6ns上升時(shí)間和3ns下降時(shí)間最大限度地減小了開關(guān)損耗。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
Energy Micro為ARM Cortex-M3架構(gòu)新引入了12款大I/O引腳數(shù)的微控制器產(chǎn)品，提供從8K – 128K FLASH, 2K–16K RAM。
與EFM32 MCU系列的其他封裝形式一樣，EFM32G232、EFM32G842、EFM32TG232和EFM32TG842也提供低功耗的Gecko技術(shù)。在應(yīng)用基準(zhǔn)測試中，EFM32微控制器的低電流特性，配合2μs的喚醒時(shí)間，使其至少增加了4倍的電池使用壽命。
新的QFP64器件，在功效設(shè)計(jì)和成熟封裝尤為重要的應(yīng)用中為工程師提供更多的選擇。
其QFP64封裝的EFM32 Gecko和Tiny Gecko產(chǎn)品線。
LCP5400可同時(shí)支持多個(gè)協(xié)議，其中包括ATM、PWE3、HDLC和ML/MC-PPP以及專有協(xié)議等。
由于LCP5400具備高度的可編程性，因此能夠連接至原有的非標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備上，從而實(shí)現(xiàn)后向兼容性。
LCP5400不僅可以讓單個(gè)協(xié)議路徑充分利用其雙向數(shù)據(jù)帶寬功能，而且也可同時(shí)支持三個(gè)協(xié)議共享。LCP5400包括多個(gè)可編程引擎、集成式以太網(wǎng)端口和多個(gè)ARM11處理器。
MAX8625A單電感、H橋、升/降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器適用于輸入電壓范圍為2.5V至5.5V的場合。
LCD設(shè)計(jì)可使客戶藉由系統(tǒng)選項(xiàng)，選擇與LCD Panel兼容之LCD驅(qū)動(dòng)輸出，另外在LCD點(diǎn)亮則采用RAM Mapping方式，使得系統(tǒng)更容易與LCD Panel相配。
LTC4446還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián)MOSFET。當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)1000pF負(fù)載時(shí)，高端MOSFET的快速8ns上升時(shí)間和5ns下降時(shí)間、以及低端MOSFET的6ns上升時(shí)間和3ns下降時(shí)間最大限度地減小了開關(guān)損耗。
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