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單位面積通態(tài)電阻在650V額定電壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)能效和功率密度

發(fā)布時(shí)間:2023/9/13 8:56:25 訪問次數(shù):80

MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)最高的能效和功率密度.

打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。

新記錄突顯并鞏固了在超結(jié)型MOSFET市場的領(lǐng)導(dǎo)地位,MDmesh V體現(xiàn)了最新的經(jīng)過市場檢驗(yàn)的Multi-Drain Mesh技術(shù),新產(chǎn)品的性能提升讓客戶能夠降低應(yīng)用設(shè)計(jì)能耗,同時(shí)強(qiáng)化了關(guān)于提供對環(huán)境負(fù)責(zé)的產(chǎn)品同時(shí)通過設(shè)計(jì)研發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品為客戶提供卓越性能的承諾。

無線揚(yáng)聲器，將來自于音箱中五個(gè)單元的聲波分散在多個(gè)方向，每個(gè)單元都是由專用的高傳真放大器所驅(qū)動(dòng)，而且每個(gè)單元都可在特定方向傳播聲音，讓使用者被包圍在環(huán)場音效之中。讓產(chǎn)品使用了Apple Lossless技術(shù)、數(shù)位訊號處理以及其他的高階零組件。

D-Premier在音訊放大器上使用了ADH(類比-數(shù)位-混合)技術(shù)，據(jù)表示該技術(shù)已在實(shí)驗(yàn)室中，針對實(shí)際應(yīng)用條件進(jìn)行了所有關(guān)鍵參數(shù)測量，測量結(jié)果包括：在全功率下總諧波失真(THD+N)為0.001%；依據(jù)SMTP規(guī)格的交互調(diào)變(IMD)為0.001%；訊息雜訊比130dB (未加權(quán))；沒有測量到熱畸變；輸出阻抗0.001Ω；頻寬，數(shù)位輸入@8 to 2Ω負(fù)載：DC–87kHz (-3dB), DC–60kHz (-1dB), DC–30kHz (-0.1dB)；類比輸入方面：除了0.1Hz (-3dB)其他相同。

此外，基板和可選的FPGA夾層板(FMC)還可支持：

DisplayPort、HDMI™和DVI標(biāo)準(zhǔn)的視頻輸入連接功能(Video In Connectivity)；

由視頻與圖像處理包 (VIPP) 配套提供的各種功能，包括逐行掃描視頻處理、視頻轉(zhuǎn)換器、色彩空間轉(zhuǎn)換器、Gamma 校正、邊緣增強(qiáng)、運(yùn)動(dòng)自適應(yīng)降噪、幀率轉(zhuǎn)換器、顏色分級和屏幕視控系統(tǒng)功能等；

通過V-by-One®HS、DisplayPort和LVDS連接到顯示器面板視頻輸出連接功能 (Video-out Connectivity)。


深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com


MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)最高的能效和功率密度.

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無線揚(yáng)聲器，將來自于音箱中五個(gè)單元的聲波分散在多個(gè)方向，每個(gè)單元都是由專用的高傳真放大器所驅(qū)動(dòng)，而且每個(gè)單元都可在特定方向傳播聲音，讓使用者被包圍在環(huán)場音效之中。讓產(chǎn)品使用了Apple Lossless技術(shù)、數(shù)位訊號處理以及其他的高階零組件。

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此外，基板和可選的FPGA夾層板(FMC)還可支持：

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由視頻與圖像處理包 (VIPP) 配套提供的各種功能，包括逐行掃描視頻處理、視頻轉(zhuǎn)換器、色彩空間轉(zhuǎn)換器、Gamma 校正、邊緣增強(qiáng)、運(yùn)動(dòng)自適應(yīng)降噪、幀率轉(zhuǎn)換器、顏色分級和屏幕視控系統(tǒng)功能等；

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