正常操作期間（SWITCHON模式），浪涌抑制器IC會(huì)持續(xù)接通外部MOSFET，將輸入電壓傳遞給輸出。內(nèi)部比較器會(huì)限制流經(jīng)電流檢測(cè)電阻器的電壓，調(diào)節(jié)最大輸出電流，預(yù)防過(guò)流故障。

該操作能將輸出電壓調(diào)整到安全水平，讓負(fù)載順利度過(guò)輸入過(guò)壓事件。

按照傳統(tǒng)，設(shè)計(jì)者需要使用一個(gè)很大的重型散熱器方能連續(xù)操作。由于LTC7860采用了高效的開(kāi)關(guān)拓?fù)洌栽O(shè)計(jì)者可以使用小得多的散熱器，或者根本不使用散熱器。

該模塊采用32引腳密封雙列直插(DIL)陶瓷封裝，尺寸約為40mm×23mm。

LTC7860浪涌抑制器IC能夠保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的傷害,發(fā)生輸入過(guò)壓事件（例如汽車(chē)的負(fù)載突降）時(shí)，LTC7860會(huì)控制外部MOSFET的柵極，充當(dāng)開(kāi)關(guān)DC/DC穩(wěn)壓器（保護(hù)PWM模式）。

Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E與SiHJ7N65E可以為采用TO-252（DPAK）封裝的MOSFET提供節(jié)省空間的替代品，降低照明、工業(yè)、電信、計(jì)算和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用的封裝電感。

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E基于公司的E系列超結(jié)技術(shù)，具有低至0.52Ω（@10 V）的最大導(dǎo)通電阻、低至17nC的超低柵極電荷和適于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM）。

STM32產(chǎn)品家族為市場(chǎng)公認(rèn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)嵌入式處理器架構(gòu)的開(kāi)發(fā)社區(qū)帶來(lái)世界最多的價(jià)格、功率、性能選擇，背后還有一個(gè)功能全面的生態(tài)系統(tǒng)的強(qiáng)大支持，其中包括免費(fèi)的軟件和低價(jià)的開(kāi)發(fā)板，幫助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)研發(fā)周期最小化，投資回報(bào)率最大化。

成本和印刷電路板空間是STM32及新軟件棧解決方案的重要優(yōu)勢(shì)所在，因?yàn)镾TM32片上有豐富的功能可以使用，像電壓比較器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、定時(shí)器和直接訪存技術(shù)，實(shí)際設(shè)計(jì)只需一個(gè)由數(shù)個(gè)無(wú)源器件組成的簡(jiǎn)單的模擬前端。

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