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高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)制造在10V下的最大導(dǎo)通電阻只有0.52Ω

發(fā)布時(shí)間:2023/9/19 23:09:01 訪問次數(shù):60



3款采用緊湊型PowerPAK SO-8L封裝的N溝道器件的600V和650V E系列功率MOSFET的陣容。

這些器件完全符合RoHS指令的要求,無鹵素,無鉛(Pb)。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸僅為5mm x 6mm,占用的板空間和高度僅為采用TO-252(DPAK)封裝的器件的一半。PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)可以提升板級(jí)可靠性。


這些數(shù)值會(huì)轉(zhuǎn)換成低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,從而為功率因數(shù)校正、反激式與雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器和面向HID與LED照明和工業(yè)、電信、消費(fèi)類與計(jì)算電源適配器的硬開關(guān)拓?fù)涔?jié)約能量。


MOSFET由Vishay Siliconix設(shè)計(jì)和開發(fā),表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS,無鹵素,無鉛。


SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)制造,在10V下的最大導(dǎo)通電阻只有0.52Ω,柵極電荷低至17nC,導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積更低,該參數(shù)是評(píng)價(jià)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)。

該器件采用小巧的熱增強(qiáng)型12引線MSOP封裝,具有可調(diào)定時(shí)器,能夠限制浪涌抑制器IC花在過壓或過流調(diào)節(jié)方面的時(shí)間。


這款免費(fèi)的STM32 USB-C和PD中間件棧兼容USB Type-C 1.2和USB Power Delivery 2.0規(guī)范,便于客戶在其最終產(chǎn)品上快速部署這項(xiàng)新技術(shù),并充分利用STM32 ARM®Cortex®-M微控制器的豐富功能。

新固件棧X-CUBE-USB-PD最初是基于STM32F0入門級(jí)Cortex-M0處理器,讓設(shè)計(jì)人員能夠升級(jí)傳統(tǒng)USB設(shè)備,為終端用戶帶來巨大的使用便利。

USB-C和電力傳輸技術(shù)定義一個(gè)可以正反面插接的連接器,能夠傳輸應(yīng)用功能所需的全部數(shù)據(jù)(包括視頻或?qū)S袇f(xié)議),充當(dāng)最高100W的電源或給USB端口所連設(shè)備充電。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com




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這些器件完全符合RoHS指令的要求,無鹵素,無鉛(Pb)。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸僅為5mm x 6mm,占用的板空間和高度僅為采用TO-252(DPAK)封裝的器件的一半。PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)可以提升板級(jí)可靠性。


這些數(shù)值會(huì)轉(zhuǎn)換成低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,從而為功率因數(shù)校正、反激式與雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器和面向HID與LED照明和工業(yè)、電信、消費(fèi)類與計(jì)算電源適配器的硬開關(guān)拓?fù)涔?jié)約能量。


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該器件采用小巧的熱增強(qiáng)型12引線MSOP封裝,具有可調(diào)定時(shí)器,能夠限制浪涌抑制器IC花在過壓或過流調(diào)節(jié)方面的時(shí)間。


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