高乃介質(zhì)的一個挑戰(zhàn)是維持器件的高驅(qū)動電流,如前所述,在高乃介質(zhì)上面采用金屬電極取代多晶硅,可以減少溝道內(nèi)電子遷移率損失,但還需要在高慮介質(zhì)和⒏基底之間加入Si()2/Si()N作為界面緩沖層,進(jìn)一步改善電子遷移率。

界面層還有助于界面的穩(wěn)定性和器件的可靠性,因為在以前多個技術(shù)節(jié)點,⒏o2/Si()N與⒏基底界面的優(yōu)化已經(jīng)研究得十分深人了。當(dāng)然,界面層的存在也有不利的一面,它使得整體柵極介質(zhì)的乃值降低,從而影響Ef)T的降低,所以必須嚴(yán)格控制它的厚度。

電子電路的連接關(guān)系，如果電路中多個負(fù)載首尾相連,那么就稱它們的連接狀態(tài)是串聯(lián)的,為串聯(lián)電路。

高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP CVD)工藝被先進(jìn)的芯片工廠采用以來,以其卓越的填孔能力、穩(wěn)定的沉積質(zhì)量、可靠的電學(xué)特性等諸多優(yōu)點而迅速成為0.25um以下先進(jìn)I藝的主流。

純的Hf02具有較高的虍值(25),但缺點是無法承受高溫。在溫度超過500℃,Hf02會發(fā)生晶化,產(chǎn)生晶界缺陷,同時晶化還會造成表面粗糙度的增加,這都會引起漏電流的增加,從而影響器件的性能。

所以純的HfO2只適合應(yīng)用于后柵極后高慮的整合路線。

可以通過對Hfo2進(jìn)行摻雜來改善它的高溫性能,如摻Si或氮化,形成Hsi()/H⒗iON。但這樣都會降低介質(zhì)的乃值(15),從而影響EOT的降低。

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