在45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)采用高乃介質(zhì)和金屬柵極并進(jìn)人量產(chǎn), 引人多晶硅柵極后晶體管技術(shù)的最大變化。很快地,用于生產(chǎn)的高乃介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)。

器件尺寸按摩爾定律的要求不斷縮小,柵極介質(zhì)的厚度不斷減薄,但柵極的漏電流也隨之增大。

在5.0nm以下,Sio2作為柵極介質(zhì)所產(chǎn)生的漏電流已無(wú)法接受,這是由電子的直接隧穿效應(yīng)造成的。對(duì)SiO2進(jìn)行氮化,生成⒊ON可以使這一問(wèn)題得以改善,但是在90nm節(jié)點(diǎn)后,由于柵極漏電流過(guò)大,即使采用Si()N也難以繼續(xù)減薄了(11~12A)。

三個(gè)電容器串聯(lián)的電路示意圖及計(jì)算方法，串聯(lián)電路中各點(diǎn)的電流相等。

電流產(chǎn)生的熱量跟電流、電阻和通電時(shí)問(wèn)的定量關(guān)系:電流通過(guò)導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量與電流的平方成正比,與導(dǎo)體電阻成正比,與通電時(shí)間成正比。這個(gè)規(guī)律叫焦耳定律。

界面層的形成可以采用s的高溫氧化(如ISSG工藝),或化學(xué)氧化來(lái)實(shí)現(xiàn)。

器件的電遷移率的降低,這是由于高乃介質(zhì)的表面聲子散射造成的。 

NCP1396ADR2G因?yàn)楦吣私橘|(zhì)的高的乃值得益于其偶極性分子結(jié)構(gòu),但這種分子結(jié)構(gòu)容易產(chǎn)生振動(dòng)。

在和硅的界面上,偶極性分子的振動(dòng)被傳遞到硅原子,造成晶格振動(dòng)(聲子)并進(jìn)而影響電子的正常運(yùn)動(dòng),導(dǎo)致遷移率的降低。

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