垂直溝道型三維電荷俘獲閃存的關(guān)鍵技術(shù)是超深孔刻蝕和高質(zhì)量薄膜工藝。

32層的超深孔深寬比接近30:1,上下孔的直徑差異要求小于10~20nm。柵介質(zhì)多層薄膜不僅要求頂層和底層的厚度基本一致,對組份均勻性也提出了很高的要求。

電磁爐中電壓比較器LM339的實物外形,當(dāng)電壓比較器的同相輸入端電壓高于反相輸入端電壓時,輸出高電平;當(dāng)反相輸入端電壓高于同相輸入端電壓時,輸出低電平。

垂直溝道型三維電荷俘獲閃存可靠性方面的最大挑戰(zhàn)是電子和空穴在存儲層中的橫向擴散,隨著電子產(chǎn)品,在存儲材料方面的技術(shù)瓶頸已經(jīng)獲得了突破。

相比于三維浮柵閃存,維電荷俘獲閃存具有更好的器件可靠性,垂直溝道型三維電荷俘獲存儲器目前已成為國際上最主流的三維存儲器,為了搶占市場有利地位,各競爭日趨白熱化。

電磁爐中溫度傳感器的實物外形,爐面溫度檢測傳感器位于電磁爐爐盤線圈中間部分,用于感測爐面的溫度變化;

IGBT溫度檢測傳感器位于IGBT所安裝散熱片的下方,用于感瀏IGBT工作時的溫度變化。

電磁爐中IGBT的檢測方法,在實湖中,IGBT在路檢測時”澧制極與集電極之間正向趾值為9kΩ左右,反向阻值為無窮大;

單獨IGBT集電極與發(fā)射極之間的正、反向皿值均為無窮大。

電壓比較LM339的檢修,電壓比較器LM339是一種引腳較少的集成電路,是電磁爐檢測及控制電路中的關(guān)鍵元器件之一。電壓比較器LM339的實物外形,其內(nèi)部集成了四個獨立的電壓比較器,每個電壓比較器都可以獨立地構(gòu)成單元電路。

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