閃存是基于傳統(tǒng)的多層浮柵結(jié)構(gòu)(比如MOSFET的多層?xùn)沤橘|(zhì)),通過存儲(chǔ)在浮柵上的電荷來調(diào)制晶體管的閾值電壓(代表數(shù)據(jù)1和0)。

寫和擦除的操作就簡單對應(yīng)為浮柵上電荷的增加和去除。

目前的閃存大體有NOR與NAND兩種結(jié)構(gòu),它們的集成度已達(dá)到Gb量級,但局限也非常明顯,比如高操作電壓(10V),慢擦寫速度(1ms)和較差的耐久性(105)。

NAND市場已經(jīng)超越了DRAM在市場容量,說明了一種典型雙浮柵單元(被稱作ETox單元)的工藝流程。

伴隨著CMOS器件工藝特征尺寸持續(xù)地按比例縮小到14nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)以后,通過采用三維器件結(jié)構(gòu), 從垂直方向進(jìn)一步增大溝道寬度,進(jìn)而增加溝道電流。

目前成熟的14nm節(jié)點(diǎn)制造工藝,在單一方向,晶圓上組成溝道的鰭片薄而長,寬為7~15nm,高為15~30nm,重復(fù)間距為40~60nm。

給出鰭式場效應(yīng)晶體管集成制造工藝流程,采用了間隔墻雙重圖案化技術(shù)來形成鰭片并采用RMG流程來形成高慮介質(zhì)與金屬柵極。

在正常情況下,過壓保護(hù)器兩引腳間阻值的這種變化受其外部電容并聯(lián)的影響。

為了能夠?qū)^壓保護(hù)器進(jìn)行更準(zhǔn)確的檢測,還可以將其從電路板上取下來,進(jìn)行斷路檢測。在斷路狀態(tài)下,過壓保護(hù)器的正、反向阻值都很大,如果阻值較小,則說明該過壓保護(hù)器本身已經(jīng)損壞。

電磁爐中過壓保護(hù)器的檢測方法，過壓保護(hù)器屬于高脫抗電阻器,當(dāng)市電電壓過高,趣出其耐壓值時(shí),將處于擊穿狀戀,從而將市電交流220V短路,瞬間電流過大,燒浙熔浙器,起到保護(hù)電路的作用。

過壓保護(hù)鏘是否擊穿可從其表面狀裔判淅,一般會(huì)出現(xiàn)炸裂、黑發(fā)點(diǎn)等現(xiàn)象。

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