這些各式各樣的存儲器在CMOS后端線的集成與前端線流程完全兼容。

因此,不僅這些存儲器在將來有希望替代NVM和eDRAM,而且邏輯和存儲一起都可以很容易被集成到MOS基準(zhǔn)上。

存儲器技術(shù)的最新發(fā)展水平和工藝流程,接下來將分析CM()S邏輯和存儲器的集成使得32nm及以后技術(shù)節(jié)點時實現(xiàn)高性能低功耗的∝)C成為可能。

RMG形成之后,繼續(xù)常規(guī)的流程,如接觸電極,金屬硅化物(接觸區(qū)域內(nèi)形成的)和鎢插栓工藝流程。繼續(xù)完成后段工藝流程,形成第1層銅(M1)(單鑲嵌)和互連(雙鑲嵌)結(jié)構(gòu)。

溫控器的檢測方法在正常情況下,常溫狀態(tài)下,溫控器觸點處于閉合狀態(tài),萬用表測觸點間阻值應(yīng)為零;當(dāng)溫控器感溫面感測溫度過高時,其觸點斷開,此時用萬用表測其兩觸點之間的阻值應(yīng)為無窮大。

熱熔斷器的檢修是電熱水壺的過熱保護(hù)元器件之一,主要是用于防止溫控器、蒸汽式自動斷電開關(guān)損壞后,電熱水壺持續(xù)加熱。

熱熔斷器的檢測方法在正常情況下,熱熔斷器的阻值為零。若實測阻值為無窮大,說明熱熔斷器內(nèi)容已經(jīng)熔斷損壞。

當(dāng)傳統(tǒng)的CMOs技術(shù)在65nm及以后的節(jié)點面臨速度與功耗的折中時,應(yīng)變工程和新型疊柵材料(高乃和金屬柵)可以將CMOS技術(shù)擴展到32nm以及以后的節(jié)點。

在接近32nm節(jié)點時,高層次的集成度導(dǎo)致在功耗密度增加時速度卻沒有提升。

DRAM和閃存基于單元電容、選擇晶體管和存儲單元的尺寸縮小卻導(dǎo)致了日益復(fù)雜化的工藝流程與CMOS基準(zhǔn)的偏差。因此,如果基于當(dāng)前的CM(DS與存儲器集成技術(shù),要實現(xiàn)存儲與邏輯集成在SoC上的應(yīng)用將是一個巨大的難題。

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