伴隨著CMOS器件工藝特征尺寸持續(xù)地按比例縮小到14nm及以下技術(shù)節(jié)點以后,通過采用三維器件結(jié)構(gòu), T010051從垂直方向進一步增大溝道寬度,進而增加溝道電流。

熱熔斷器是整機的過熱保護器件,若該器件損壞,可能會導(dǎo)致電熱水壺?zé)o法工作。判斷熱熔斷器的好壞可使用萬用表電阻擋檢測其阻值。

有一種方法可以在系統(tǒng)層面降低功耗和提升速度,那就是將存儲器和邏輯芯片集成在一起構(gòu)成片上系統(tǒng)(SoC)。

這種具有垂直方向溝道的新穎三維晶體管被稱為鰭式場效應(yīng)晶體管或FinFET。

目前成熟的14nm節(jié)點制造工藝,在單一方向,晶圓上組成溝道的鰭片薄而長,寬為7~15nm,高為15~30nm,重復(fù)間距為40~60nm。給出鰭式場效應(yīng)晶體管集成制造工藝流程,采用了間隔墻雙重圖案化技術(shù)來形成鰭片并采用RMG流程來形成高慮介質(zhì)與金屬柵極。

存儲器的類別包括動態(tài)隨機讀取存儲器(DRAM)、靜態(tài)隨機讀取存儲器(SRAM)、非易失性存儲器(NVM)或者閃存(Flash)。

CMOS邏輯產(chǎn)品工藝流程是制造32nm或更早工藝節(jié)點的主導(dǎo)工藝流程。

隨著CMOS工藝特征尺寸繼續(xù)按比例縮小到28nm及更小時,需要采用能夠減少柵極漏電流和柵極電阻的高嫉柵介質(zhì)層和金屬柵電極以提高器件速度。

這些新功能通過采用柵最后形成或置換金屬柵工藝成功地合到CMOS制造工藝流程當(dāng)中,它類似于柵先形成的常規(guī)CMOS工藝流程,只是在吖D結(jié)形成后,多晶硅柵極材料被移除并且被沉積的高乃介質(zhì)層和金屬層所取代。

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