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在晶圓中MIC污染物被控制在1010原子/cm2的范圍內(nèi)甚至更少

發(fā)布時(shí)間:2023/10/6 20:14:06 訪問次數(shù):81

靜電對(duì)元件的封裝區(qū)域也有特別的影響,這樣就要求在敏感的元器件(如大矩陣內(nèi)存)的加工和運(yùn)輸中采用防靜電裝置。光刻掩膜工藝的掩膜版對(duì)靜電放電也非常敏感。放電可氣化并損壞鍍鉻掩膜層。有些設(shè)備故障也與靜電有關(guān),特別是機(jī)械手、晶圓傳送器、測(cè)量?jī)x器。

晶圓通常由PFA材料制的機(jī)械手送入設(shè)備中。這種材料是防化學(xué)腐蝕的,但不導(dǎo)電。

靜電存在晶圓里,但無(wú)法從機(jī)械手泄放。當(dāng)機(jī)械手靠近設(shè)備的金屬部分時(shí),晶圓表面的靜電就會(huì)對(duì)設(shè)備放電,產(chǎn)生的電磁干擾就會(huì)影響設(shè)備的正常工作。

抽出變壓器油至清潔干燥的油桶或油槽中存放,將油箱內(nèi)的殘油放凈,清除積存在箱底的鐵銹等雜物,然后用干凈白布擦凈油箱。

檢查處理完畢,即可將鐵心吊人油箱。在鐵心吊入油箱前,應(yīng)進(jìn)行缺陷處理并進(jìn)行電氣試驗(yàn),即測(cè)量繞組的絕緣電阻;


變壓器組裝完畢后,應(yīng)做油壓試驗(yàn)15min(其壓力對(duì)于波狀油箱和有散熱器的油箱應(yīng)比正常壓力增加0,3m油柱)各部件接合面密封襯墊及焊縫應(yīng)無(wú)滲漏。

在半導(dǎo)體材料中,以離子形態(tài)存在的金屬離子污染物,稱為可動(dòng)離子污染物。 

危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是堿金屬離子,它們?cè)谄胀ɑ瘜W(xué)品和工藝中都很常見。

最常見的可動(dòng)離子污染物是鈉離子。鈉離子是硅中移動(dòng)性最強(qiáng)的物質(zhì),因此,對(duì)鈉的控制成為硅片生產(chǎn)的首要目標(biāo)。

MIC的問題對(duì)MOs器件的影響更為嚴(yán)重,所以,在晶圓中,MIC污染物必須被控制在1010原子/cm2的范圍內(nèi)甚至更少。有必要采取措施研制開發(fā)MOs級(jí)或低鈉級(jí)的化學(xué)品。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

靜電對(duì)元件的封裝區(qū)域也有特別的影響,這樣就要求在敏感的元器件(如大矩陣內(nèi)存)的加工和運(yùn)輸中采用防靜電裝置。光刻掩膜工藝的掩膜版對(duì)靜電放電也非常敏感。放電可氣化并損壞鍍鉻掩膜層。有些設(shè)備故障也與靜電有關(guān),特別是機(jī)械手、晶圓傳送器、測(cè)量?jī)x器。

晶圓通常由PFA材料制的機(jī)械手送入設(shè)備中。這種材料是防化學(xué)腐蝕的,但不導(dǎo)電。

靜電存在晶圓里,但無(wú)法從機(jī)械手泄放。當(dāng)機(jī)械手靠近設(shè)備的金屬部分時(shí),晶圓表面的靜電就會(huì)對(duì)設(shè)備放電,產(chǎn)生的電磁干擾就會(huì)影響設(shè)備的正常工作。

抽出變壓器油至清潔干燥的油桶或油槽中存放,將油箱內(nèi)的殘油放凈,清除積存在箱底的鐵銹等雜物,然后用干凈白布擦凈油箱。

檢查處理完畢,即可將鐵心吊人油箱。在鐵心吊入油箱前,應(yīng)進(jìn)行缺陷處理并進(jìn)行電氣試驗(yàn),即測(cè)量繞組的絕緣電阻;


變壓器組裝完畢后,應(yīng)做油壓試驗(yàn)15min(其壓力對(duì)于波狀油箱和有散熱器的油箱應(yīng)比正常壓力增加0,3m油柱)各部件接合面密封襯墊及焊縫應(yīng)無(wú)滲漏。

在半導(dǎo)體材料中,以離子形態(tài)存在的金屬離子污染物,稱為可動(dòng)離子污染物。 

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最常見的可動(dòng)離子污染物是鈉離子。鈉離子是硅中移動(dòng)性最強(qiáng)的物質(zhì),因此,對(duì)鈉的控制成為硅片生產(chǎn)的首要目標(biāo)。

MIC的問題對(duì)MOs器件的影響更為嚴(yán)重,所以,在晶圓中,MIC污染物必須被控制在1010原子/cm2的范圍內(nèi)甚至更少。有必要采取措施研制開發(fā)MOs級(jí)或低鈉級(jí)的化學(xué)品。

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