低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片，可在高達(dá)1866兆/秒(MT/s)的傳輸速率下運(yùn)行。

通過提升DDR3減少負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)的最高數(shù)據(jù)傳輸速率，并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量，新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。內(nèi)存緩沖芯片是用于服務(wù)器、工作站和存儲(chǔ)應(yīng)用的先進(jìn)內(nèi)存子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。

XLerate-12X CXP-to-CXP有源光纜是高密度信號(hào)傳輸?shù)睦硐脒x擇，適用于高性能計(jì)算應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵操作。

16位PulSAR®逐次逼近型ADC內(nèi)核與高阻抗輸入緩存和7級(jí)片內(nèi)PGIA(可編程增益儀表放大器)集成在一起。

ADAS3022包括8通道低泄漏多路復(fù)用器和精密低漂移4.096V基準(zhǔn)電壓源。

新推出的IC具有8個(gè)數(shù)據(jù)通道，提供完整16位動(dòng)態(tài)范圍，并且經(jīng)過優(yōu)化，可與從±10V至最低±640mV的眾多傳感器接口。

高度集成的數(shù)據(jù)采集IC(集成電路)ADAS3022，該產(chǎn)品占用的電路板空間僅為競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品分立器件的三分之一，有助于工程師簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，縮小高級(jí)工業(yè)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的尺寸。

通過開發(fā)全新基準(zhǔn)技術(shù)及頂尖的IGBT硅平臺(tái)，彰顯出IR在數(shù)十年來致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動(dòng)馬達(dá)提供百分之百變頻，以期更有效地使用電能及綠化環(huán)境。

新技術(shù)針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更好的軟關(guān)斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，從而提升可靠性與耐用性。

這個(gè)平臺(tái)的參數(shù)分布較窄，在高電流功率模塊內(nèi)并聯(lián)起多個(gè)IGBT之時(shí)，可提供出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱電阻和達(dá)到175°C的最高結(jié)溫。

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