隨著芯片制造中器件數(shù)量和復(fù)雜度的增加,這個(gè)重要性也不斷增加。精確的確定快漂移動(dòng)器件與慢漂移器件在統(tǒng)計(jì)分布偏移中意味著成功的產(chǎn)品。

如果考慮到與應(yīng)力時(shí)間r的關(guān)系,更多的數(shù)據(jù)表明界面態(tài)和固定電荷與應(yīng)力作用時(shí)間有著相同的關(guān)系r⒍25。

盡管可能會(huì)觀(guān)察到一些偏差,但這個(gè)時(shí)間的依賴(lài)關(guān)系一般在0,2~0.3之間。

由于NBTI激活能和控制NBTI退化機(jī)制的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的變化,有必要使用可靠性統(tǒng)計(jì)模型預(yù)測(cè)IC性能、成品率和可靠性。

工藝溫度應(yīng)該被限制小于1100℃,盡管不同的高溫工藝溫度對(duì)氮化柵氧的影響仍然沒(méi)有報(bào)道,但是很明顯這些溫度或超過(guò)這些溫度可以在氧化層中導(dǎo)致明顯的“非反應(yīng)性”的可動(dòng)氫陷阱。

這些結(jié)果和N20生長(zhǎng)的二氧化硅明顯減少了高溫下生長(zhǎng)時(shí)的擊穿電荷是一致的。

和純氧相比,隨著氧化層生長(zhǎng)溫度達(dá)到近似1Os0℃,擊穿電荷量也增加。另一個(gè)影響NBTI的問(wèn)題是后金屬退火溫度和形成氣體的退火溫度。

金屬后退火溫度和組成氣氛退火溫度應(yīng)該低于370℃,以改善在窄溝道器件中的NBTI效應(yīng)和TDDB效應(yīng)。

當(dāng)前,對(duì)柵氧擊穿主要是由負(fù)電荷的電子或正電荷的空穴起主要作用的問(wèn)題,說(shuō)明是正電荷空穴積累得多,但也不能否定電子的作用,所以可能兩者都起作用,只是何種(可能是空穴)為主的問(wèn)題。

其他的退火諸如硅化物后退火溫度可以影響NBTI性能。因此,必須小心優(yōu)化所有的關(guān)鍵退火溫度和工藝中退火的氣氛。

硬擊穿是大電流釋放的能量引起柵氧化層的破裂,器件失效;軟擊穿表現(xiàn)為電流、電壓的突然增加,或者電流噪聲的增加,器件一般還可以正常工作一段時(shí)間。

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