高隔離電壓,VIORM和VIOTM分別為1050V和8000V,非常適合在更高工作電壓或污染程度更嚴(yán)重條件下運(yùn)轉(zhuǎn),例如電機(jī)驅(qū)動(dòng),可替代能源,焊接設(shè)備和其他高工作電壓的應(yīng)用。

VOL3120的高度比標(biāo)準(zhǔn)DIP封裝的器件低30%，能節(jié)省空間，并實(shí)現(xiàn)類(lèi)似電磁爐面，以及民用太陽(yáng)能電池和電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的小尺寸逆變器等扁平外形的應(yīng)用。

驅(qū)動(dòng)器可在15V～32V電源電壓和-40℃～+100℃的工業(yè)溫度下工作。VOL3120的潮濕敏感度等級(jí)(MSL)達(dá)到J-STD-020 1級(jí)，倉(cāng)儲(chǔ)壽命不限。器件符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

VOL3120的工作損耗電流最大為2.5mA，在要求高頻工作的電源應(yīng)用里是很實(shí)用的選擇。

典型延遲小于250ns,典型上升和下降時(shí)間為100ns,極為適合要求IGBT和MOSFET快速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。

驅(qū)動(dòng)器可在15V～32V電源電壓和-40℃～+100℃的工業(yè)溫度下工作。VOL3120的潮濕敏感度等級(jí)(MSL)達(dá)到J-STD-020 1級(jí)，倉(cāng)儲(chǔ)壽命不限。器件符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

VOL3120不僅具有優(yōu)異的隔離能力，還具有當(dāng)今最佳的電氣性能。

過(guò)壓鎖定功能可保護(hù)IGBT/MOSFET，避免出現(xiàn)故障，對(duì)共模瞬態(tài)的抑制能力超過(guò)48kV/μs，能消除來(lái)自PCB上低壓區(qū)域的噪聲。

VOL3120的工作損耗電流最大為2.5mA,在要求高頻工作的電源應(yīng)用里是很實(shí)用的選擇。

器件的典型延遲小于250ns，典型上升和下降時(shí)間為100ns，極為適合要求IGBT和MOSFET快速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。