頻率可配置的時(shí)鐘芯片Si5317，該芯片主要應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)和電信系統(tǒng)領(lǐng)域，這類應(yīng)用系統(tǒng)必須針對沒有頻率倍頻的時(shí)鐘信號進(jìn)行抖動衰減。

Si5317管腳控制抖動衰減芯片廣泛應(yīng)用于需要濾除有害噪聲并產(chǎn)生低抖動時(shí)鐘信號輸出的應(yīng)用中。

高速應(yīng)用中的頻率抖動管理特別困難，這是因?yàn)樵肼晻䦟?dǎo)致整體系統(tǒng)的性能下降，并影響設(shè)計(jì)的誤碼率(BER)及信噪比(SNR)，針對這些強(qiáng)調(diào)性能的應(yīng)用，Si5317頻率抖動衰減IC提供一種簡單、彈性且具成本效益的抖動濾除解決方案。

在45nm制程節(jié)點(diǎn)開始啟用Gate-last工藝來制作HKMG晶體管，而臺積電也將在28nm制程節(jié)點(diǎn)開始啟用這種工藝。

Hoffmann認(rèn)為Gate-last工藝具有許多優(yōu)勢，比如PMOS管的門限電壓更為穩(wěn)定，而且這種工藝將原來填充在柵極區(qū)的多晶硅替換為金屬材料時(shí)，還可以為PMOS管的溝道施加一定的應(yīng)變力。

靜電放電保護(hù)芯片,新產(chǎn)品比4路競爭產(chǎn)品增加一路保護(hù)通道，而封裝尺寸相同，為功能豐富而空間有限的便攜設(shè)備（如智能手機(jī)和上網(wǎng)本）設(shè)計(jì)人員提供空間利用率出色的解決方案。

還提供一款低電容型5路ESD保護(hù)芯片ESDALC6V1-5T6，可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線，如手機(jī)的SIM卡、照相機(jī)或顯示器接口。

三極管基極(b)電流最小,且遠(yuǎn)小于另兩個(gè)引腳的電流;發(fā)射極(e)電流最大(等于集電極電流和基極電流之和);集電極(c)電流與基極(b)電流之比即為三極管的放大倍數(shù)。

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