環(huán)境照明強度和顯示圖像白光成分自動改變電流強度大幅降低功耗
發(fā)布時間:2023/10/27 8:43:16 訪問次數(shù):260
白光LED電荷泵背光驅(qū)動器,它能使電池供電手持式設備的功耗降低多達45%,而且不影響顯示質(zhì)量。
集三項關鍵功能于一體:可編程背光LED電荷泵驅(qū)動器;用于自動控制LED亮度的光電晶體管輸入;以及用于管理輸出電流比例的PWM(脈寬調(diào)制)輸入。
因此,它能根據(jù)環(huán)境照明強度和顯示圖像的白光成分自動改變電流強度,從而大幅降低功耗。
能自動執(zhí)行該功能,無需利用處理器來監(jiān)控光電晶體管,因而能進一步降低電源要求并簡化便攜式背光設計。
新處理器的工作頻率在2.0-2.5GHz之間,比上代40nm工藝版本快了500MHz左右,性能也有明顯提升。
能從1MHz和500kHz中選擇開關頻率,最適于節(jié)省空間的設計。輸入電壓范圍在4V~16V之間,使用外置電阻能從1.2V~任意設定輸出電壓;鶞孰妷簽0.9V±1.5%。
能從PWM控制(XCM526A)和PWM/PFM自動轉(zhuǎn)換控制(XCM526B)中選擇工作模式。配備的軟啟動功能可選擇4ms的內(nèi)部固定或外部設定。
內(nèi)置保護功能UVLO,當輸入電壓在TYP. 2.3V以下時,能使P-ch驅(qū)動晶體管強制停止工作。
GF、ARM估計,相比于40nm工藝,新的28nm工藝制造平臺能帶來40%的計算性能提升、30%的功耗下降、100%的待機電池續(xù)航能力提升。
基于ARM Cortex-A9雙核心處理器的技術質(zhì)量檢驗裝置(TQV),而且第一家使用了28nm HP高性能工藝、HKMG(高K金屬柵極)技術。
一整套優(yōu)化的ARM Cortex-A9物理IP,能從每一個方面模擬真正的SoC產(chǎn)品,從而實現(xiàn)最大程度的頻率分析、縮短產(chǎn)品設計周期的時間,還有完整的可測性設計(DFT)。

http://tx168.51dzw.com上海熠富電子科技有限公司
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集三項關鍵功能于一體:可編程背光LED電荷泵驅(qū)動器;用于自動控制LED亮度的光電晶體管輸入;以及用于管理輸出電流比例的PWM(脈寬調(diào)制)輸入。
因此,它能根據(jù)環(huán)境照明強度和顯示圖像的白光成分自動改變電流強度,從而大幅降低功耗。
能自動執(zhí)行該功能,無需利用處理器來監(jiān)控光電晶體管,因而能進一步降低電源要求并簡化便攜式背光設計。
新處理器的工作頻率在2.0-2.5GHz之間,比上代40nm工藝版本快了500MHz左右,性能也有明顯提升。
能從1MHz和500kHz中選擇開關頻率,最適于節(jié)省空間的設計。輸入電壓范圍在4V~16V之間,使用外置電阻能從1.2V~任意設定輸出電壓;鶞孰妷簽0.9V±1.5%。
能從PWM控制(XCM526A)和PWM/PFM自動轉(zhuǎn)換控制(XCM526B)中選擇工作模式。配備的軟啟動功能可選擇4ms的內(nèi)部固定或外部設定。
內(nèi)置保護功能UVLO,當輸入電壓在TYP. 2.3V以下時,能使P-ch驅(qū)動晶體管強制停止工作。
GF、ARM估計,相比于40nm工藝,新的28nm工藝制造平臺能帶來40%的計算性能提升、30%的功耗下降、100%的待機電池續(xù)航能力提升。
基于ARM Cortex-A9雙核心處理器的技術質(zhì)量檢驗裝置(TQV),而且第一家使用了28nm HP高性能工藝、HKMG(高K金屬柵極)技術。
一整套優(yōu)化的ARM Cortex-A9物理IP,能從每一個方面模擬真正的SoC產(chǎn)品,從而實現(xiàn)最大程度的頻率分析、縮短產(chǎn)品設計周期的時間,還有完整的可測性設計(DFT)。

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