PWM驅(qū)動(dòng)器高側(cè)和低側(cè)輸出FET可通過(guò)處理器信號(hào)進(jìn)行獨(dú)立控制
發(fā)布時(shí)間:2023/11/4 17:24:29 訪問(wèn)次數(shù):380
新型PolySwitch femtoSMDC016F器件比其他的表面貼裝器件占板面積都要小,測(cè)量尺寸僅為1.6mm x 0.8mmx0.5mm,這為設(shè)計(jì)師在空間受限的應(yīng)用中提供了靈活性。該器件的額定工作電壓為9V,可提供一個(gè)0.16A的維持電流,以及一個(gè)40A的最大故障電流和4.2歐姆的最大阻抗。
該femtoSMDC016F器件最后一道工序采用鎳-錫封裝,保證了卓越的可焊性,而且符合大規(guī)模生產(chǎn)組裝工藝。該款器件符合環(huán)境影響評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)(EIA-compliant),滿足無(wú)鹵素要求,并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)以及UL和CSA認(rèn)證。
SA3XX和SA5X系列的所有型號(hào)的數(shù)字接口都可為客戶提供數(shù)字微控制器(MCU)或DSP的無(wú)縫連接。
這些PWM驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)和低側(cè)輸出FET可通過(guò)處理器的直接信號(hào)進(jìn)行獨(dú)立控制。這種通信包括每一相的電流檢測(cè)。
在處理器上,每個(gè)電流路徑都可作為處理器模數(shù)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)獨(dú)立輸入供電。
三個(gè)SATA端口,分別為Port0、Port1、Port2,通過(guò)一些控制引腳可配置端口之間的互聯(lián),實(shí)現(xiàn)端口擴(kuò)展或復(fù)用功能。
在硬盤(pán)錄像機(jī)等應(yīng)用中,除了內(nèi)部配備的硬盤(pán),如提供一個(gè)硬盤(pán)接口供用戶外接的話,可極大地增強(qiáng)設(shè)備的靈活性。
在電路設(shè)計(jì)中,考慮到外接硬盤(pán)時(shí)線纜可能較長(zhǎng),對(duì)應(yīng)的Port1端口設(shè)置為輸出預(yù)加重(HIV1拉高),其他輸出端口和OOB信號(hào)選用標(biāo)準(zhǔn)模式工作。
新型PolySwitch femtoSMDC016F器件比其他的表面貼裝器件占板面積都要小,測(cè)量尺寸僅為1.6mm x 0.8mmx0.5mm,這為設(shè)計(jì)師在空間受限的應(yīng)用中提供了靈活性。該器件的額定工作電壓為9V,可提供一個(gè)0.16A的維持電流,以及一個(gè)40A的最大故障電流和4.2歐姆的最大阻抗。
該femtoSMDC016F器件最后一道工序采用鎳-錫封裝,保證了卓越的可焊性,而且符合大規(guī)模生產(chǎn)組裝工藝。該款器件符合環(huán)境影響評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)(EIA-compliant),滿足無(wú)鹵素要求,并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)以及UL和CSA認(rèn)證。
SA3XX和SA5X系列的所有型號(hào)的數(shù)字接口都可為客戶提供數(shù)字微控制器(MCU)或DSP的無(wú)縫連接。
這些PWM驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)和低側(cè)輸出FET可通過(guò)處理器的直接信號(hào)進(jìn)行獨(dú)立控制。這種通信包括每一相的電流檢測(cè)。
在處理器上,每個(gè)電流路徑都可作為處理器模數(shù)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)獨(dú)立輸入供電。
三個(gè)SATA端口,分別為Port0、Port1、Port2,通過(guò)一些控制引腳可配置端口之間的互聯(lián),實(shí)現(xiàn)端口擴(kuò)展或復(fù)用功能。
在硬盤(pán)錄像機(jī)等應(yīng)用中,除了內(nèi)部配備的硬盤(pán),如提供一個(gè)硬盤(pán)接口供用戶外接的話,可極大地增強(qiáng)設(shè)備的靈活性。
在電路設(shè)計(jì)中,考慮到外接硬盤(pán)時(shí)線纜可能較長(zhǎng),對(duì)應(yīng)的Port1端口設(shè)置為輸出預(yù)加重(HIV1拉高),其他輸出端口和OOB信號(hào)選用標(biāo)準(zhǔn)模式工作。
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