成本和抖動和相位噪聲適合應(yīng)用于講究低抖動及穩(wěn)定參考時鐘設(shè)計
發(fā)布時間:2023/10/28 23:48:59 訪問次數(shù):112
新的PureEdgeTM系列硅壓控晶體振蕩器(VCXO)。新的NBVSBAxxx系列提供比市面上其它方案更低的成本和超低的抖動和相位噪聲，非常適合應(yīng)用于講究低抖動及穩(wěn)定參考時鐘的設(shè)計， 例如網(wǎng)絡(luò)、同步光網(wǎng)絡(luò)(SONET)、萬兆位以太網(wǎng)(10GbE)、基站和廣播設(shè)備等。
由于能以2.5V或3.3V電源供電,所以提供了設(shè)計靈活性及簡化產(chǎn)品物料單(BOM),進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。
NBVSBAxxx振蕩器提供三態(tài)啟用/關(guān)閉特性，使用戶能夠在-40°C到+85°C的完整工業(yè)溫度范圍內(nèi)導(dǎo)通或關(guān)閉輸出。
新的ColdFire+產(chǎn)品線為產(chǎn)品系列帶來卓越的特性，包括：FlexMemory，可配置、可電子擦除、嵌入式可編程只讀存儲器。
運(yùn)行速度快，上升沿和下降沿僅有14ps，任意抖動小于300fs rms，可支持32Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，允許24GHz時鐘信號延遲。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V和CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達(dá)12ns。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的48-BGA封裝方式，尺寸分別為8.0x9.5x1.2mm和8.0x9.5x1.4mm，此為同樣存儲密度的最小器件尺寸。
新型快速異步SRAM系采用高性能90納米C9™CMOS技術(shù)生產(chǎn),是快速異步和低功耗SRAM的行業(yè)領(lǐng)先者，其產(chǎn)品線存儲密度涵蓋從4Kbit到64Mbit的范圍。
深圳市裕碩科技有限公司http://yushuollp.51dzw.com
新的PureEdgeTM系列硅壓控晶體振蕩器(VCXO)。新的NBVSBAxxx系列提供比市面上其它方案更低的成本和超低的抖動和相位噪聲，非常適合應(yīng)用于講究低抖動及穩(wěn)定參考時鐘的設(shè)計， 例如網(wǎng)絡(luò)、同步光網(wǎng)絡(luò)(SONET)、萬兆位以太網(wǎng)(10GbE)、基站和廣播設(shè)備等。
由于能以2.5V或3.3V電源供電,所以提供了設(shè)計靈活性及簡化產(chǎn)品物料單(BOM),進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。
NBVSBAxxx振蕩器提供三態(tài)啟用/關(guān)閉特性，使用戶能夠在-40°C到+85°C的完整工業(yè)溫度范圍內(nèi)導(dǎo)通或關(guān)閉輸出。
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運(yùn)行速度快，上升沿和下降沿僅有14ps，任意抖動小于300fs rms，可支持32Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，允許24GHz時鐘信號延遲。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V和CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達(dá)12ns。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的48-BGA封裝方式，尺寸分別為8.0x9.5x1.2mm和8.0x9.5x1.4mm，此為同樣存儲密度的最小器件尺寸。
新型快速異步SRAM系采用高性能90納米C9™CMOS技術(shù)生產(chǎn),是快速異步和低功耗SRAM的行業(yè)領(lǐng)先者，其產(chǎn)品線存儲密度涵蓋從4Kbit到64Mbit的范圍。
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