28納米工藝制造將配置4個(gè)內(nèi)核打破它在平板電腦戰(zhàn)略方面沉默
發(fā)布時(shí)間:2023/10/31 13:23:51 訪問次數(shù):212
LSI CacheCade技術(shù)使SSD能作為硬盤前面的高性能控制器二級(jí)緩存,用以加速應(yīng)用和工作負(fù)載性能。
由于該技術(shù)可將超大容量的數(shù)據(jù)集存儲(chǔ)在高速緩存中,因此有助于實(shí)現(xiàn)例如文件和Web服務(wù)器、數(shù)據(jù)挖掘、OLTP和數(shù)據(jù)庫服務(wù)器等事務(wù)處理應(yīng)用性能的最大化。
而且該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高度的可擴(kuò)展性,通過在硬盤驅(qū)動(dòng)器配置中添加單部支持CacheCade的SSD虛擬驅(qū)動(dòng)器,用戶即可將數(shù)據(jù)庫性能提升多達(dá)55%。如果再添加一部支持CacheCade的SSD虛擬驅(qū)動(dòng)器,數(shù)據(jù)庫性能則能進(jìn)一步提升達(dá)76%。
基于AMD這種最新 芯片的平板電腦。WindPad 110W平板電腦運(yùn)行微軟Windows 7操作系統(tǒng),配置2GB內(nèi)存和存儲(chǔ)容量為64GB固態(tài)硬盤。這款平板電腦的重量為850克,電池使用壽命為6小時(shí)。
一款運(yùn)行AMD Z系列芯片的平板電腦能夠在Windows 7和安卓操作系統(tǒng)之間無縫轉(zhuǎn)換。
這些芯片將采用28納米工藝制造并且最多將配置4個(gè)內(nèi)核,打破了它在平板電腦戰(zhàn)略方面的沉默,發(fā)布了第一款用于平板電腦的低功率芯片。
Z系列芯片是專門為微軟Windows 7操作系統(tǒng)設(shè)計(jì)的。谷歌的安卓操作系統(tǒng)將能夠在Windows 7軟件棧的基礎(chǔ)之上運(yùn)行。
這種基于Fusion架構(gòu)的Z系列芯片將在平板電腦中提供全面的PC客戶機(jī)體驗(yàn)。
新型WideLead TO-262封裝的設(shè)計(jì)靈感來自于DirectFET封裝超低芯片自由阻抗的出色性能,以及傳統(tǒng) TO-262封裝的各種局限性。IR新型WideLead封裝中的MOSFET新系列在傳輸高電流的同時(shí),大大降低了引線中的傳導(dǎo)損耗和自身熱量,從而為汽車應(yīng)用提供了一個(gè)堅(jiān)固可靠的解決方案。
LSI CacheCade技術(shù)使SSD能作為硬盤前面的高性能控制器二級(jí)緩存,用以加速應(yīng)用和工作負(fù)載性能。
由于該技術(shù)可將超大容量的數(shù)據(jù)集存儲(chǔ)在高速緩存中,因此有助于實(shí)現(xiàn)例如文件和Web服務(wù)器、數(shù)據(jù)挖掘、OLTP和數(shù)據(jù)庫服務(wù)器等事務(wù)處理應(yīng)用性能的最大化。
而且該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高度的可擴(kuò)展性,通過在硬盤驅(qū)動(dòng)器配置中添加單部支持CacheCade的SSD虛擬驅(qū)動(dòng)器,用戶即可將數(shù)據(jù)庫性能提升多達(dá)55%。如果再添加一部支持CacheCade的SSD虛擬驅(qū)動(dòng)器,數(shù)據(jù)庫性能則能進(jìn)一步提升達(dá)76%。
基于AMD這種最新 芯片的平板電腦。WindPad 110W平板電腦運(yùn)行微軟Windows 7操作系統(tǒng),配置2GB內(nèi)存和存儲(chǔ)容量為64GB固態(tài)硬盤。這款平板電腦的重量為850克,電池使用壽命為6小時(shí)。
一款運(yùn)行AMD Z系列芯片的平板電腦能夠在Windows 7和安卓操作系統(tǒng)之間無縫轉(zhuǎn)換。
這些芯片將采用28納米工藝制造并且最多將配置4個(gè)內(nèi)核,打破了它在平板電腦戰(zhàn)略方面的沉默,發(fā)布了第一款用于平板電腦的低功率芯片。
Z系列芯片是專門為微軟Windows 7操作系統(tǒng)設(shè)計(jì)的。谷歌的安卓操作系統(tǒng)將能夠在Windows 7軟件棧的基礎(chǔ)之上運(yùn)行。
這種基于Fusion架構(gòu)的Z系列芯片將在平板電腦中提供全面的PC客戶機(jī)體驗(yàn)。
新型WideLead TO-262封裝的設(shè)計(jì)靈感來自于DirectFET封裝超低芯片自由阻抗的出色性能,以及傳統(tǒng) TO-262封裝的各種局限性。IR新型WideLead封裝中的MOSFET新系列在傳輸高電流的同時(shí),大大降低了引線中的傳導(dǎo)損耗和自身熱量,從而為汽車應(yīng)用提供了一個(gè)堅(jiān)固可靠的解決方案。
熱門點(diǎn)擊
- 復(fù)合結(jié)構(gòu)機(jī)翼利用梁式機(jī)翼和單塊式機(jī)翼優(yōu)點(diǎn)盡量
- I/Q下變頻器要比混合式鏡頻抑制混頻器的下變
- 渦輪噴氣飛機(jī)引起災(zāi)難性破壞部分還要進(jìn)行聲疲勞
- 光電倍增管噪聲有光電器件本身散粒 閃爍噪聲及
- 28納米工藝制造將配置4個(gè)內(nèi)核打破它在平板電
- 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單檢測(cè)范圍大探測(cè)元件結(jié)構(gòu)受損時(shí)易產(chǎn)
- PXI星形觸發(fā)和鎖定回路(PLL)使多個(gè)模塊
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- XpressO振蕩器特性從而最精確地匹配客戶
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推薦技術(shù)資料
- 超低功耗角度位置傳感器參數(shù)技術(shù)
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