IRF6798MPbF還提供僅為0.25mΩ的極低柵極電阻，避免了與Cdv/dt相關(guān)的擊穿。

通過改善關(guān)鍵參數(shù)不斷提升功率MOSFET的性能。新款I(lǐng)RF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET芯片組把低電荷及低導(dǎo)通電阻(RDS(on))與業(yè)界最低的柵極電阻(Rg)相結(jié)合，使傳統(tǒng)上由典型同步降壓轉(zhuǎn)換器的同步和控制接口產(chǎn)生的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗降到了最低。

IRF6706S2PbF小罐D(zhuǎn)irectFET也具備低電荷和低導(dǎo)通電阻，可減少開關(guān)損耗及傳導(dǎo)損耗，還可為快速開關(guān)提供極低的柵極電阻。

ATA6663和ATA6664是獨(dú)立的LIN總線收發(fā)器集成電路，而ATA6628/29/30/31 LIN收發(fā)器是系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片(SBC)。

與獨(dú)立的LIN收發(fā)器比較，SBC集成度更高，包括有電壓調(diào)節(jié)器、一個(gè)看門狗定時(shí)器(Watchdog Timer，WDT)，和高準(zhǔn)確度的電壓分壓器，支持電源電壓測(cè)量等應(yīng)用。器件的低耗電管理同時(shí)也使混合供電(Mixed-supplied)LIN總線系統(tǒng)和在LIN總線的接地短路消耗更低的功率。

4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產(chǎn)，且響應(yīng)近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保風(fēng)，4Gb DDR3芯片新產(chǎn)品與上一代2Gb的DDR3相比較，可節(jié)省30%的耗電量。

這項(xiàng)4Gb DDR3芯片新產(chǎn)品最高容量可用于32GB內(nèi)存模塊，初期應(yīng)用領(lǐng)域是在服務(wù)器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等，其他應(yīng)用范圍還包括消費(fèi)性電子、個(gè)人計(jì)算機(jī) (PC)、游戲機(jī)等，而用于大型系統(tǒng)時(shí)，其省電的特性即更能淋漓發(fā)揮。