1212外形尺寸的新款I(lǐng)HLP小尺寸、高電流電感器：IHLP-1212BZ-11。

IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0×3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的標(biāo)準(zhǔn)感值，其最高頻率可達(dá)1.0MHz。

新電感可處理高瞬態(tài)電流劍鋒，而不會(huì)出現(xiàn)硬飽和。電感采用符合RoHS指令、100%無鉛的屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu)，可將蜂鳴噪聲減至很低的水平。新器件的工作溫度為-55℃~+125℃，可耐受熱沖擊、潮濕、機(jī)械沖擊和振動(dòng)。

IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF25V芯片組不但采用最新一代MOSFET硅技術(shù),還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù)(FOM)及DirectFET封裝卓越的開關(guān)和熱特性,成為一個(gè)為高頻率DC-DC開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化解決方案。

IRF6798MPbF的中罐D(zhuǎn)irectFET封裝提供低于1mΩ的導(dǎo)通電阻，使整個(gè)負(fù)載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導(dǎo)相關(guān)的損耗，并能實(shí)現(xiàn)反向恢復(fù)損耗，進(jìn)一步提高解決方案的整體性能。

這些新的設(shè)備，是采用高電壓BCD-on-SOL (SMART-I.S.™)工藝設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在嚴(yán)酷環(huán)境下應(yīng)用，工作電壓高達(dá)40V。

此外，ATA6663/64收發(fā)器也適合于低速數(shù)據(jù)通信和低成本的其他車身電子應(yīng)用。

同時(shí)該器件也滿足業(yè)界領(lǐng)先的EMC可靠性要求(包括歐洲的EMC測(cè)試和一致性測(cè)試LIN 2.1和SAE J2602-2)，客戶可從更低成本的物料清單以及更低的軟件費(fèi)用受益。超過6KV的卓越ESD保護(hù)能力適用于嚴(yán)酷汽車環(huán)境的穩(wěn)健電子單元設(shè)計(jì)。