平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。

平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會(huì)增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。

顯示平面式MOSFET情況下構(gòu)成RDS(on)的各個(gè)分量。對于低壓MOSFET，三個(gè)分量是相似的。但隨著額定電壓增加，外延層需要更厚和更輕摻雜，以阻斷高壓。

高功率密度(高達(dá)61V/3A)的LED5000、LED6000 DC-DC LED驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器(單片集成控制器+ MOSFET)，支持用MR16  LED光源替代鹵鎢燈,提供多種LED家用照明系統(tǒng)評測板。一次側(cè)評測板。

主要開關(guān)管推薦MDmesh™K5功率MOSFET系列，我們發(fā)現(xiàn)800-900-950Vbr產(chǎn)品(ST*N80K5、ST*N90K5和ST*N95K5 pn)特別適合這種拓?fù)洹?/span>

在這些產(chǎn)品中，專用離線LED驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器，例如，HVLED805、HVLED807PF、HVLED815PF，具有高功率因數(shù)和一次側(cè)恒流/恒壓穩(wěn)壓(PSR-CC/CV)功能，因?yàn)殡娐范蝹?cè)無需穩(wěn)壓芯片和光耦，所以系統(tǒng)成本較低。

LED商用照明,商用和建筑照明系統(tǒng)通常需要20W以上的功率，以及高功率因數(shù)，高能效，節(jié)省成本，有時(shí)需要多條燈帶，有遠(yuǎn)程監(jiān)控功能。

在只有一條燈帶時(shí)，通常使用反激式拓?fù)?新產(chǎn)品HVLED003D是一款離線反激式LED驅(qū)動(dòng)控制器，一次側(cè)恒流穩(wěn)壓(PSR-CC)模式，內(nèi)置調(diào)光功能(0-10, PWM和可控硅)，可直接驅(qū)動(dòng)單燈帶，無需光耦和二次側(cè)控制器。

MDmesh™K5系列適用于硬開關(guān)拓?fù)�，具有低Rdson導(dǎo)通電阻、低Qg柵電荷和低電容的特點(diǎn)。

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