在微電子工藝中普遍使用的是平面型磁控濺射設(shè)備,這種類型的設(shè)備是從直流平板式濺射設(shè)備發(fā)展起來的,一般都配各有直流、射頻等多種濺射電源;而這些工具都將為電工作業(yè)帶來便利,提高工作效率,更可以有效保障電工的人身安全。

磁控濺射技術(shù)發(fā)展迅速,目前已有多種類型的磁控濺射設(shè)各和相應(yīng)的工藝方法被廣泛應(yīng)用。

按電場劃分有直流、中頻和射頻磁控濺射;按可安裝靶的數(shù)量劃分有單靶和多靶;按靶與磁場幾何結(jié)構(gòu)劃分又有同軸型、平面型和S槍型等多種。

淀積成膜過程是指到達(dá)襯底的靶原子在襯底表面先成核再成膜的過程。

與蒸鍍相比,濺射的一個突出特點是入射離子與靶原子之間有較大的能量傳遞,逸出的靶原子從撞擊過程中獲得了較大動能,其數(shù)值一般可達(dá)到10~50eV。

相比之下,在蒸發(fā)過程中源原子所獲得的動能一般只有0.1~1eV。

由于能量增加可以提高淀積原子在襯底表面上的遷移能力,改善薄膜的臺階覆蓋能力和附著力,因此,濺射薄膜的臺階覆蓋特性和附著性都好于蒸鍍薄膜。

可以降低系統(tǒng)內(nèi)工作氣體的氣壓,如當(dāng)工作氣體的氣壓在105Pa時都能形成等離子體,這使所淀積薄膜的純度有所提高。

被磁場束縛的二次電子在與氣體粒子多次碰撞之后能量迅速降低,被復(fù)合消失掉,這就顯著地減少了高能二次電子對安裝在陽極上的襯底的轟擊,降低了由此帶來的襯底損傷和溫升。

在進(jìn)行電工作業(yè)時,總避免不了登高進(jìn)行高空作業(yè)。為保證電工能夠安全地進(jìn)行作業(yè),這也就要求電I需要了解這些登高工具,并能夠熟練掌握各個登高工具的使用方法。

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