帶有高集成度過電壓保護(OVP)和USB/充電器檢測功能的器件FAN3988。

該器件是OVP產(chǎn)品系列的最新成員，可讓終端用戶按照應(yīng)用所需之特定導(dǎo)通電阻和電流能力，靈活選擇外部P溝道MOSFET。

FAN3988具備內(nèi)置自動檢測功能，器件通過連續(xù)監(jiān)控短路條件下的D+/D-線，能夠感測是否連接USB充電器。

過頻保護(0F),當(dāng)發(fā)電機輸出頻率高于430Hz時,保護電路發(fā)出信號,經(jīng)固定延時1s后,斷開GCR和GCB。

當(dāng)欠頻時即頻率低于370Hz時,rl截止時間變長,則Cl的充電時間變長,C1上電壓(即AI“+”端電壓)高于代“-”

端電壓,A1輸出高電位,并通過R7、D2向C2充電。在波形的正半周和負半周的部分時間內(nèi),處1輸出低電位,這時C2通過R:放電。由于放電時間常數(shù)R:C2大于充電時間常數(shù)R7C2(約10倍),因此在欠頻時,每個周期內(nèi)C2上都有電荷積累,電壓逐步升高,起到了延時作用。

當(dāng)C2上的電壓升高到D3的擊穿電壓時,發(fā)出欠頻信號,切斷發(fā)電機輸出。在D3擊穿前,如故障消失,則不會發(fā)出欠頻信號。

當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性。而當(dāng)自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。

MTJ儲存單元的優(yōu)點之一是其采用的磁性極化的方式與傳統(tǒng)的電荷存儲方式不同，有效避免了電荷漏電的問題，從而保證數(shù)據(jù)能夠在寬廣的溫度范圍內(nèi)被長期保存。第二個優(yōu)點是，兩個狀態(tài)間的磁性極化切換不會涉及到實際的電子或原子移動，因此不會有耗損機制的存在。

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