電壓低于40V的低壓MOSFET的重點在于給定導(dǎo)通阻抗條件下將裸片尺寸減至最小,從而降低單位成本。

因此，開發(fā)就轉(zhuǎn)向了諸如溝槽FET(帶有額外解耦垂直場效電板從漏極屏蔽門極)、溝槽LDMOS(結(jié)合了溝槽MOS的緊湊性及背面漏極與LDMOS的較低Qg(d))以及優(yōu)化了金屬化/封裝的LDMOS等架構(gòu)。

由于擊穿電壓更高及未鉗位開關(guān)特性(UIS)的緣故，提升擊穿強固性也非常重要。

雖然多年來基于硅的晶體管有了持續(xù)改進，但硅基材料特性上的限制表明，未來十年人們還需要尋求其它可用方案。

為了模組更高精度感測機制、高比特率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、不同接口協(xié)議、預(yù)驅(qū)動器/控制環(huán)路，及精確片上電壓/電流參考的需求，模擬功能也在不斷增多。

100至200 V及5至10 A的電源驅(qū)動器。這些器件帶有低導(dǎo)通阻抗，及利用深溝槽及絕緣硅(SOI)技術(shù)的高密度、強固型高壓隔離架構(gòu)。

厚銅、金或鋁線邦定、緞帶(ribbon)封裝黏著(clip bonding) ，以及功率優(yōu)化的芯片級封裝(CSP)也在增強裸片與外部電極之間的電阻連接效率,顯示了封裝技術(shù)的演進。

IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測IGBT電流和溫度的實時檢測電路，當(dāng)發(fā)生嚴重過載甚至直接短路時，以及溫度過熱時，IGBT將被有控制地軟關(guān)斷，同時發(fā)出故障信號。

IPM還具有橋臂對管互鎖、驅(qū)動電源欠壓保護等功能。盡管IPM價格高一些，但由于集成的驅(qū)動、保護功能使IPM與單純的IGBT相比具有結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、易于使用等優(yōu)點。

模塊采用的直接敷銅(DBC)技術(shù)增強了電氣性能，而陶瓷襯底(如三氧化二鋁及氮化鋁)能夠同時提升冷卻效率。封裝-組裝技術(shù)上的改進也實現(xiàn)了幾個裸片和無源器件的平面共同整合(co-integration)，以及旨在增加系統(tǒng)整合度的垂直堆棧技術(shù)。

http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鵬富裕科技有限公司