低功耗音頻中樞、數(shù)字信號(hào)處理器、噪聲消除和回聲消除技術(shù)相結(jié)合，顯著提升了音頻錄制和回放的質(zhì)量，并大幅度延長(zhǎng)電池壽命；同時(shí)解決了移動(dòng)電話行業(yè)中的一個(gè)重要問(wèn)題：確保用戶不管是在一間安靜的房間里還是在嘈雜的環(huán)境中，都能夠撥打或者接收同樣都是高度可分辨的電話。

消費(fèi)類功率MOSFET系列的額定電流最高僅達(dá)83A。

利用寬帶隙材料(氮化鎵、碳化硅及鉆石)的方案已經(jīng)出現(xiàn)。這些材料可以提供更好的熱特性，開(kāi)關(guān)損耗更低，而且結(jié)合了更有吸引力的低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))和高擊穿電壓(VBD)性能的優(yōu)勢(shì)。

寬帶隙材料也可以在高壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)重大突破。氮化鎵和碳化硅的臨界擊穿場(chǎng)的數(shù)量級(jí)高于硅，迄今發(fā)布的器件也具有熱導(dǎo)率更高(比硅高約3倍)的優(yōu)勢(shì)。

智能電源IC采用結(jié)合型雙極/CMOS/DMOS(BCD)技術(shù)，使模擬、數(shù)字及電源方面的系統(tǒng)設(shè)計(jì)能夠整合在單片襯底上。

在半波整流電路中,負(fù)載上得到的脈動(dòng)電壓是含有直流成分的。這個(gè)直流電壓j等于半波電壓在一個(gè)周期內(nèi)的平均值,它等于變壓器次級(jí)電壓有效值h的45%,即:u0=0.45u2

在高于1kV的應(yīng)用中碳化硅是首選材料，而氮化鎵則最適于電壓低于1 kV的應(yīng)用。

然而，仍然需要克服一些技術(shù)障礙，如增加硅上厚氮化鎵層以提供高額定電壓、制造增強(qiáng)模式晶體管及提升可靠性等。

OCZ RevoDrive 3 X2采用PCI-E 2.0 x4形式的擴(kuò)展卡結(jié)構(gòu)，兩塊PCB上搭載了四顆SandForce SF-2281主控制器和480/960GB閃存，持續(xù)性能最高可達(dá)1.5GB/s讀取、1.25GB/s或者1.3GB/s寫(xiě)入，4KB隨機(jī)寫(xiě)入230000 IOPS。

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