混合p-n肖特基為電路設(shè)計師提供更強(qiáng)浪涌性能及極低泄漏電流
發(fā)布時間:2023/12/6 22:36:42 訪問次數(shù):97
耐壓更高的(EPCOS) MKP(金屬化聚丙烯膜)X2 EMI抑制電容器。
這一特性可以通過溫度為85℃,相對濕度為85%,電壓為330V AC,時間為1000小時的濕熱測試驗(yàn)證試驗(yàn)。
這種新型碳化硅肖特基二極管的混合p-n肖特基 (MPS) 結(jié)構(gòu)可以為電路設(shè)計師提供更強(qiáng)的浪涌性能以及極低的泄漏電流。
相比傳統(tǒng)的硅功率二極管,這種碳化硅肖特基二極管可提高轉(zhuǎn)換器效率與功率密度,同時幫助降低系統(tǒng)層面的成本。
在MCU中集成DDR2存儲器,在業(yè)內(nèi)屬于首創(chuàng)。這不但將日益復(fù)雜的通信協(xié)議棧和算法的吞吐率提高了2倍,而且還增大了圖形緩沖和/或存儲空間。其結(jié)果是,幫助客戶在競爭激勵的通信控制市場中推出引人注目、易于使用的解決方案,而無需增加產(chǎn)品型號。
采用業(yè)界容量最大的集成存儲器,這些MCU滿足了設(shè)計人員對應(yīng)用存儲空間的需求,其存儲速度是市場上其他任何存儲器的兩倍。
PIC32MZ DA MCU和MPLAB Harmony相結(jié)合后,業(yè)界的圖形設(shè)計比以前簡單多了。
USB 3.0的產(chǎn)品只提供USB數(shù)據(jù)接收與傳送功能外,RTS5400還內(nèi)建了Type-C Power Delivery控制單元,并且整合High Speed MUXs與Low Speed MUXs到芯片內(nèi),減少了系統(tǒng)BOM cost。
因此在該芯片的上行或下行埠皆可支持Type-C連接器及Power Delivery控制功能,可輕易設(shè)計完成支持一個USB 3.1 Type-C上行埠及下行端口全功能的USB 3.1 Type-C產(chǎn)品。
HADP能夠讓系統(tǒng)開發(fā)人員輕松使用原型ECU(可加快汽車量產(chǎn)的速度)來驗(yàn)證和集成軟件,從而縮短上市時間。
耐壓更高的(EPCOS) MKP(金屬化聚丙烯膜)X2 EMI抑制電容器。
這一特性可以通過溫度為85℃,相對濕度為85%,電壓為330V AC,時間為1000小時的濕熱測試驗(yàn)證試驗(yàn)。
這種新型碳化硅肖特基二極管的混合p-n肖特基 (MPS) 結(jié)構(gòu)可以為電路設(shè)計師提供更強(qiáng)的浪涌性能以及極低的泄漏電流。
相比傳統(tǒng)的硅功率二極管,這種碳化硅肖特基二極管可提高轉(zhuǎn)換器效率與功率密度,同時幫助降低系統(tǒng)層面的成本。
在MCU中集成DDR2存儲器,在業(yè)內(nèi)屬于首創(chuàng)。這不但將日益復(fù)雜的通信協(xié)議棧和算法的吞吐率提高了2倍,而且還增大了圖形緩沖和/或存儲空間。其結(jié)果是,幫助客戶在競爭激勵的通信控制市場中推出引人注目、易于使用的解決方案,而無需增加產(chǎn)品型號。
采用業(yè)界容量最大的集成存儲器,這些MCU滿足了設(shè)計人員對應(yīng)用存儲空間的需求,其存儲速度是市場上其他任何存儲器的兩倍。
PIC32MZ DA MCU和MPLAB Harmony相結(jié)合后,業(yè)界的圖形設(shè)計比以前簡單多了。
USB 3.0的產(chǎn)品只提供USB數(shù)據(jù)接收與傳送功能外,RTS5400還內(nèi)建了Type-C Power Delivery控制單元,并且整合High Speed MUXs與Low Speed MUXs到芯片內(nèi),減少了系統(tǒng)BOM cost。
因此在該芯片的上行或下行埠皆可支持Type-C連接器及Power Delivery控制功能,可輕易設(shè)計完成支持一個USB 3.1 Type-C上行埠及下行端口全功能的USB 3.1 Type-C產(chǎn)品。
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