±1%穩(wěn)壓的器件,進(jìn)一步壯大其采用ChiP封裝的隔離穩(wěn)壓DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊(DCM)陣營。

最新系列產(chǎn)品具有無與倫比的功率密度，高達(dá)1,032 W/in3，可實現(xiàn)全工作范圍±1%的精度要求。

而之前的ChiP封裝的DCM系列為了支持大功率輸出，可以采用多個DCM模塊并聯(lián)陣列，其輸出電壓精度為±3%。

DCM ChiP可將未穩(wěn)壓的寬范圍輸入電壓，轉(zhuǎn)換成隔離穩(wěn)壓的DC輸出，而DCM轉(zhuǎn)換器則可利用高頻率零電壓開關(guān)(ZVS)拓?fù)�，在其整個輸入電壓范圍內(nèi)始終如一地提供高效率。

在開發(fā)之初，IGBT主要應(yīng)用在電機、變換器（逆變器）、變頻器、UPS、EPS電源、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備等工業(yè)控制領(lǐng)域。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷�，是電力電子裝置的“CPU”。

采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。

物聯(lián)網(wǎng)終端通常要求低功耗和高安全性，但物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點的發(fā)展如此之快，以至于安全有時跟不上。SAM L11能提供客戶在設(shè)計流程早期進(jìn)行安全規(guī)劃所需的功能。

在進(jìn)行功耗基準(zhǔn)測試時，SAM L10獲得了ULPMark 405分的高分，超過由EEMBC(嵌入式微處理器基準(zhǔn)評測協(xié)會)認(rèn)證的性能最接近的競品200%。