Fusion ioMemory產(chǎn)品組合提供多種多樣外形尺寸，從PCIe卡到適用于刀片服務(wù)器的Mezzanine存儲(chǔ)。

每張卡都針對(duì)混合使用或讀取密集型工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，還可與SanDisk最新推出的下一代FlashSoft緩存軟件搭配使用，可減少VMware vSphere®、Windows Server®和Linux環(huán)境中的I/O延遲，幫助客戶進(jìn)一步加速企業(yè)應(yīng)用程序。

通過(guò)在我們的PowerEdge產(chǎn)品組合中提供高性能存儲(chǔ)設(shè)備，如Fusion ioMemory PCIe加速器，我們正在為客戶提供強(qiáng)大的解決方案，以應(yīng)對(duì)最苛刻的企業(yè)環(huán)境。

EPC2035(60V)及EPC2036(100V)eGaN功率晶體管,專為在價(jià)格方面競(jìng)爭(zhēng)而設(shè)計(jì)并且在性能上超越硅器件.價(jià)格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化鎵(GaN)晶體管的普及化的最后一個(gè)壁壘,而價(jià)格已經(jīng)下降。這些全新產(chǎn)品可以替代硅半導(dǎo)體及為業(yè)界續(xù)寫摩爾定律的輝煌。

此外，與等效MOSFET器件相比，EPC2035 及EPC2036器件的電容小很多。

氮化鎵及MOSFET器件的面積-- EPC2035/EPC2036的面積大約是等效MOSFET的四十分之一。功率系統(tǒng)工程師首次可以采用氮化鎵元件設(shè)計(jì)出具備更低的價(jià)格、更優(yōu)越的開關(guān)速度及更小的尺寸的最終產(chǎn)品。

我們致力于為客戶提供具有企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)可靠性和可維護(hù)性的解決方案。

減少?gòu)幕趥鹘y(tǒng)硬盤的存儲(chǔ)系統(tǒng)中提取數(shù)據(jù)所需的時(shí)間長(zhǎng)度并優(yōu)化了基礎(chǔ)架構(gòu)。通過(guò)簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)訪問(wèn)并結(jié)合Microsoft SQL、Oracle和MySQL數(shù)據(jù)庫(kù)以及Spark、Redis和MongoDB等全新數(shù)據(jù)庫(kù)技術(shù)，F(xiàn)usion ioMemory卡可以提高性能，由此提高客戶滿意度。