顯示開(kāi)關(guān)速度數(shù)據(jù)包括QOSS QGD及QG較低數(shù)值代表器件具備優(yōu)越性能
發(fā)布時(shí)間:2023/12/18 8:35:59 訪問(wèn)次數(shù):157
新一代Fusion ioMemoryTMPCIe應(yīng)用程序加速器以顯著改善性能,同時(shí)幫助推動(dòng)數(shù)據(jù)中心整合和實(shí)現(xiàn)更低的總體擁有成本。
這款全新Fusion ioMemory PCIe應(yīng)用程序加速器由閃迪NAND閃存和虛擬存儲(chǔ)層(VSL)數(shù)據(jù)訪問(wèn)加速軟件構(gòu)成,在提升高達(dá)4倍性?xún)r(jià)比的同時(shí),其產(chǎn)品訂價(jià)相比上一代Fusion ioDrive®2下降達(dá)61%。
Fusion-io的技術(shù)已從根本上改變了業(yè)界對(duì)數(shù)據(jù)中心性能的預(yù)期,并且它仍將作為判斷所有其他PCIe產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)。
三款無(wú)線Soundbar平臺(tái)范例設(shè)計(jì),可為制造商開(kāi)發(fā)入門(mén)級(jí)、中檔及高端的Soundbar產(chǎn)品提供完整且靈活的解決方案,從而加快產(chǎn)品上市速度。
CSR的Soundbar平臺(tái)很好地解決了這個(gè)問(wèn)題,它們有助于快速開(kāi)發(fā)出差異化的產(chǎn)品,這些產(chǎn)品易于安裝、操作簡(jiǎn)便且外形美觀,非常適合現(xiàn)代數(shù)字化家庭,可為消費(fèi)者提供高保真的音頻體驗(yàn)。
憑借在音頻和無(wú)線連接方面積累的深厚底蘊(yùn)和專(zhuān)業(yè)知識(shí),我們得以打造出這些強(qiáng)大的Soundbar平臺(tái),不僅操作靈活且功能全面,能夠提供卓越的聆聽(tīng)體驗(yàn)。
將Fusion ioMemory的技術(shù)能力與閃迪垂直化整合的NAND閃存、以及SATA和SAS SSD產(chǎn)品系列相結(jié)合,將為客戶(hù)提供無(wú)與倫比的靈活性、性能、可擴(kuò)展性、質(zhì)量和價(jià)值組合的存儲(chǔ)解決方案,幫助他們應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心的挑戰(zhàn)。
我們用作比較的功率MOSFET器件具有可比的最高導(dǎo)通電阻額定值((RDS(on))及相同的最高擊穿電壓額定值((VDS(max))。此外,以下的數(shù)據(jù)表比較了顯示開(kāi)關(guān)速度的數(shù)據(jù),包括QOSS、QGD及 QG,而較低的數(shù)值代表器件具備更優(yōu)越的性能。
新一代Fusion ioMemoryTMPCIe應(yīng)用程序加速器以顯著改善性能,同時(shí)幫助推動(dòng)數(shù)據(jù)中心整合和實(shí)現(xiàn)更低的總體擁有成本。
這款全新Fusion ioMemory PCIe應(yīng)用程序加速器由閃迪NAND閃存和虛擬存儲(chǔ)層(VSL)數(shù)據(jù)訪問(wèn)加速軟件構(gòu)成,在提升高達(dá)4倍性?xún)r(jià)比的同時(shí),其產(chǎn)品訂價(jià)相比上一代Fusion ioDrive®2下降達(dá)61%。
Fusion-io的技術(shù)已從根本上改變了業(yè)界對(duì)數(shù)據(jù)中心性能的預(yù)期,并且它仍將作為判斷所有其他PCIe產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)。
三款無(wú)線Soundbar平臺(tái)范例設(shè)計(jì),可為制造商開(kāi)發(fā)入門(mén)級(jí)、中檔及高端的Soundbar產(chǎn)品提供完整且靈活的解決方案,從而加快產(chǎn)品上市速度。
CSR的Soundbar平臺(tái)很好地解決了這個(gè)問(wèn)題,它們有助于快速開(kāi)發(fā)出差異化的產(chǎn)品,這些產(chǎn)品易于安裝、操作簡(jiǎn)便且外形美觀,非常適合現(xiàn)代數(shù)字化家庭,可為消費(fèi)者提供高保真的音頻體驗(yàn)。
憑借在音頻和無(wú)線連接方面積累的深厚底蘊(yùn)和專(zhuān)業(yè)知識(shí),我們得以打造出這些強(qiáng)大的Soundbar平臺(tái),不僅操作靈活且功能全面,能夠提供卓越的聆聽(tīng)體驗(yàn)。
將Fusion ioMemory的技術(shù)能力與閃迪垂直化整合的NAND閃存、以及SATA和SAS SSD產(chǎn)品系列相結(jié)合,將為客戶(hù)提供無(wú)與倫比的靈活性、性能、可擴(kuò)展性、質(zhì)量和價(jià)值組合的存儲(chǔ)解決方案,幫助他們應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心的挑戰(zhàn)。
我們用作比較的功率MOSFET器件具有可比的最高導(dǎo)通電阻額定值((RDS(on))及相同的最高擊穿電壓額定值((VDS(max))。此外,以下的數(shù)據(jù)表比較了顯示開(kāi)關(guān)速度的數(shù)據(jù),包括QOSS、QGD及 QG,而較低的數(shù)值代表器件具備更優(yōu)越的性能。
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