GDDR7可達(dá)到出色的每秒1.5太字節(jié)（TBps）的帶寬，是GDDR6 1.1TBps的1.4倍，并且每個數(shù)據(jù)I/O（輸入/輸出）口速率可達(dá)32Gbps。

固體也可以不通過熔解而°固直接汽化,質(zhì)態(tài)為固態(tài)。 在物質(zhì)的汽線(AD)、熔解曲線(BD)和升華曲線1D汽(CD)交于一點叫三相點。

GDDR7的設(shè)計采用了適合高速運(yùn)行的節(jié)能技術(shù)，相比GDDR6能效提高了20%。針對筆記本電腦等注重功耗的設(shè)備，三星提供了一個低工作電壓的選項。

產(chǎn)品采用脈幅調(diào)制（PAM3）信號方式，取代前幾代產(chǎn)品的不歸零（NRZ）信號方式，從而實現(xiàn)性能大幅提升。

為最大限度地減少顯存芯片發(fā)熱，除集成電路（IC）架構(gòu)優(yōu)化外，還在封裝材料中使用具有高導(dǎo)熱性的環(huán)氧成型化合物（EMC）材料。與GDDR6相比，這些改進(jìn)不僅顯著降低70%的熱阻，還幫助GDDR7在高速運(yùn)行的情況下，也能實現(xiàn)穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

在一定的溫度與壓力下,固體將熔解為液體。在一定的壓力下,固體的熔解溫度叫熔點。

現(xiàn)階段，E1.L規(guī)格的D5-P5336率先出貨，容量高達(dá)30.72TB。隨后容量擴(kuò)大到61.44TB的D5-P5336，規(guī)格為U.2和E1.L。Solidigm將推出E3.S規(guī)格，容量高達(dá)30.72TB。

10BASE-T1S器件的特性包括10Mbps、半雙工模式、靈活的點對點拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具備多條總線線路并使用單對平衡導(dǎo)線。