在不改變傳統(tǒng)拓撲標準或構造情況下實現(xiàn)更加出色能源效率
發(fā)布時間:2024/1/11 13:15:05 訪問次數(shù):59
XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
通過將表面貼裝器件（SMD）封裝中的一流600V CFD7 CoolMOS™ MOSFET與150V OptiMOS™ 5同步整流器結(jié)合使用，可以在buck模式下實現(xiàn)98%的效率，在boost模式下實現(xiàn)97%的效率。
得益于半導體產(chǎn)品的出色性能和先進SMD封裝技術以及創(chuàng)新的堆疊磁性結(jié)構，本方案可實現(xiàn)4.34 W/cm³（71.19W/in³）的功率密度，再一次證明了PSFB拓撲可以用作雙向DC/DC階段。并且在不改變傳統(tǒng)拓撲標準或構造的情況下，實現(xiàn)更加出色的能源效率。
由反激原理可知，副邊開通時對應原邊MOS關斷，而原邊關斷時變壓器漏感、層間電容及主MOS結(jié)電容會產(chǎn)生高頻尖峰振蕩，該振蕩依然會通過變壓器耦合到副邊，導致副邊MOS管的源級電壓震蕩，影響同步整理的采樣電壓，導致MOS管提前關斷。
減小變壓器漏感，從根本上減小能量振蕩。原邊振蕩的能量來源為未能傳輸?shù)礁边叺穆└心芰�，減小漏感可以直觀地減弱振蕩幅值，從而改善副邊的采樣環(huán)境。
固定式電感器的電感量是固定的,該類電感器適用于濾波、振蕩以及延遲等電路中。
固定式電感器是一種常用的電感器件,為了減小體積,往往根據(jù)電感量和最大直流工作時電流的大小,選用相應直徑的導線在磁芯上進行繞制,然后再裝入塑料外殼中,用環(huán)氧樹脂進行封裝而成。
XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
通過將表面貼裝器件（SMD）封裝中的一流600V CFD7 CoolMOS™ MOSFET與150V OptiMOS™ 5同步整流器結(jié)合使用，可以在buck模式下實現(xiàn)98%的效率，在boost模式下實現(xiàn)97%的效率。
得益于半導體產(chǎn)品的出色性能和先進SMD封裝技術以及創(chuàng)新的堆疊磁性結(jié)構，本方案可實現(xiàn)4.34 W/cm³（71.19W/in³）的功率密度，再一次證明了PSFB拓撲可以用作雙向DC/DC階段。并且在不改變傳統(tǒng)拓撲標準或構造的情況下，實現(xiàn)更加出色的能源效率。
由反激原理可知，副邊開通時對應原邊MOS關斷，而原邊關斷時變壓器漏感、層間電容及主MOS結(jié)電容會產(chǎn)生高頻尖峰振蕩，該振蕩依然會通過變壓器耦合到副邊，導致副邊MOS管的源級電壓震蕩，影響同步整理的采樣電壓，導致MOS管提前關斷。
減小變壓器漏感，從根本上減小能量振蕩。原邊振蕩的能量來源為未能傳輸?shù)礁边叺穆└心芰�，減小漏感可以直觀地減弱振蕩幅值，從而改善副邊的采樣環(huán)境。
固定式電感器的電感量是固定的,該類電感器適用于濾波、振蕩以及延遲等電路中。
固定式電感器是一種常用的電感器件,為了減小體積,往往根據(jù)電感量和最大直流工作時電流的大小,選用相應直徑的導線在磁芯上進行繞制,然后再裝入塑料外殼中,用環(huán)氧樹脂進行封裝而成。
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