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調(diào)節(jié)其電容量主要應(yīng)用在接收電路中作為選擇信號(hào)時(shí)使用

發(fā)布時(shí)間:2024/1/11 13:13:53 訪問(wèn)次數(shù):63

在電容器中,其電容量可以調(diào)整的電容器被稱為可變電容器?勺冸娙萜骺梢愿鶕(jù)需要調(diào)節(jié)其電容量,主要應(yīng)用在接收電路中,作為選擇信號(hào)(調(diào)諧)時(shí)使用。

電感器是一種儲(chǔ)能元件,它可以把電能轉(zhuǎn)換成磁能并儲(chǔ)存起來(lái),當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí),會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng),電磁場(chǎng)的大小與電流成正比。

常見(jiàn)的可變電容器主要有單聯(lián)可變電容器、雙聯(lián)可變電容器、多聯(lián)可變電容器以及微調(diào)電容器。多聯(lián)電容器是多個(gè)電容器制成一體,可同步調(diào)整。


核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):

具有高功率密度、高效率;

以相移全橋(PSFB)實(shí)現(xiàn)雙向能量轉(zhuǎn)換器;

具有20μs 140%加負(fù)荷;

以CFD7系列MOS實(shí)現(xiàn)高效率可能性;

具有多種保護(hù)模式和可配置參數(shù),提高產(chǎn)品設(shè)計(jì)靈活度。

方案規(guī)格:

輸入電壓及頻率操作為:DC 380V;

輸出電壓為:60V - 40V;

降壓模式效率高達(dá)98%,升壓模式效率高達(dá)97%;

功率密度為4.34 W/cm³(71.19 W/in³);

采用ThinPAK 封裝的Infineon CoolMOS™ CFD7。

產(chǎn)品功率拓?fù)錇榉醇ず屯秸鳎秸麟娐饭ぷ髟磔^為簡(jiǎn)單,即IC通過(guò)檢測(cè)同步整流MOS 管源漏級(jí)電壓,當(dāng)反激原邊MOS管開(kāi)通時(shí),IC檢測(cè)到源級(jí)電壓低于漏級(jí)電壓,同步整流MOS管關(guān)斷;

當(dāng)反激原邊MOS管關(guān)斷時(shí),電感電壓感應(yīng)電壓反向,IC檢測(cè)到源級(jí)電壓高于漏級(jí)電壓,給出驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步整流MOS 管正向?qū)ā?/span>

從測(cè)量結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),在空白導(dǎo)通時(shí)間內(nèi),SR采樣腳處電壓始終在振蕩,在1.2us結(jié)束時(shí),依然有高頻的振蕩波峰幅值。

KSZ8895RQXI-TR

在電容器中,其電容量可以調(diào)整的電容器被稱為可變電容器?勺冸娙萜骺梢愿鶕(jù)需要調(diào)節(jié)其電容量,主要應(yīng)用在接收電路中,作為選擇信號(hào)(調(diào)諧)時(shí)使用。

電感器是一種儲(chǔ)能元件,它可以把電能轉(zhuǎn)換成磁能并儲(chǔ)存起來(lái),當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí),會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng),電磁場(chǎng)的大小與電流成正比。

常見(jiàn)的可變電容器主要有單聯(lián)可變電容器、雙聯(lián)可變電容器、多聯(lián)可變電容器以及微調(diào)電容器。多聯(lián)電容器是多個(gè)電容器制成一體,可同步調(diào)整。


核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):

具有高功率密度、高效率;

以相移全橋(PSFB)實(shí)現(xiàn)雙向能量轉(zhuǎn)換器;

具有20μs 140%加負(fù)荷;

以CFD7系列MOS實(shí)現(xiàn)高效率可能性;

具有多種保護(hù)模式和可配置參數(shù),提高產(chǎn)品設(shè)計(jì)靈活度。

方案規(guī)格:

輸入電壓及頻率操作為:DC 380V;

輸出電壓為:60V - 40V;

降壓模式效率高達(dá)98%,升壓模式效率高達(dá)97%;

功率密度為4.34 W/cm³(71.19 W/in³);

采用ThinPAK 封裝的Infineon CoolMOS™ CFD7。

產(chǎn)品功率拓?fù)錇榉醇ず屯秸鳎秸麟娐饭ぷ髟磔^為簡(jiǎn)單,即IC通過(guò)檢測(cè)同步整流MOS 管源漏級(jí)電壓,當(dāng)反激原邊MOS管開(kāi)通時(shí),IC檢測(cè)到源級(jí)電壓低于漏級(jí)電壓,同步整流MOS管關(guān)斷;

當(dāng)反激原邊MOS管關(guān)斷時(shí),電感電壓感應(yīng)電壓反向,IC檢測(cè)到源級(jí)電壓高于漏級(jí)電壓,給出驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步整流MOS 管正向?qū)ā?/span>

從測(cè)量結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),在空白導(dǎo)通時(shí)間內(nèi),SR采樣腳處電壓始終在振蕩,在1.2us結(jié)束時(shí),依然有高頻的振蕩波峰幅值。

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