調(diào)節(jié)其電容量主要應(yīng)用在接收電路中作為選擇信號(hào)時(shí)使用
發(fā)布時(shí)間:2024/1/11 13:13:53 訪問(wèn)次數(shù):63
在電容器中,其電容量可以調(diào)整的電容器被稱為可變電容器?勺冸娙萜骺梢愿鶕(jù)需要調(diào)節(jié)其電容量,主要應(yīng)用在接收電路中,作為選擇信號(hào)(調(diào)諧)時(shí)使用。
電感器是一種儲(chǔ)能元件,它可以把電能轉(zhuǎn)換成磁能并儲(chǔ)存起來(lái),當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí),會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng),電磁場(chǎng)的大小與電流成正比。
常見(jiàn)的可變電容器主要有單聯(lián)可變電容器、雙聯(lián)可變電容器、多聯(lián)可變電容器以及微調(diào)電容器。多聯(lián)電容器是多個(gè)電容器制成一體,可同步調(diào)整。
核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):
具有高功率密度、高效率;
以相移全橋(PSFB)實(shí)現(xiàn)雙向能量轉(zhuǎn)換器;
具有20μs 140%加負(fù)荷;
以CFD7系列MOS實(shí)現(xiàn)高效率可能性;
具有多種保護(hù)模式和可配置參數(shù),提高產(chǎn)品設(shè)計(jì)靈活度。
方案規(guī)格:
輸入電壓及頻率操作為:DC 380V;
輸出電壓為:60V - 40V;
降壓模式效率高達(dá)98%,升壓模式效率高達(dá)97%;
功率密度為4.34 W/cm³(71.19 W/in³);
采用ThinPAK 封裝的Infineon CoolMOS™ CFD7。
產(chǎn)品功率拓?fù)錇榉醇ず屯秸鳎秸麟娐饭ぷ髟磔^為簡(jiǎn)單,即IC通過(guò)檢測(cè)同步整流MOS 管源漏級(jí)電壓,當(dāng)反激原邊MOS管開(kāi)通時(shí),IC檢測(cè)到源級(jí)電壓低于漏級(jí)電壓,同步整流MOS管關(guān)斷;
當(dāng)反激原邊MOS管關(guān)斷時(shí),電感電壓感應(yīng)電壓反向,IC檢測(cè)到源級(jí)電壓高于漏級(jí)電壓,給出驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步整流MOS 管正向?qū)ā?/span>
從測(cè)量結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),在空白導(dǎo)通時(shí)間內(nèi),SR采樣腳處電壓始終在振蕩,在1.2us結(jié)束時(shí),依然有高頻的振蕩波峰幅值。
在電容器中,其電容量可以調(diào)整的電容器被稱為可變電容器?勺冸娙萜骺梢愿鶕(jù)需要調(diào)節(jié)其電容量,主要應(yīng)用在接收電路中,作為選擇信號(hào)(調(diào)諧)時(shí)使用。
電感器是一種儲(chǔ)能元件,它可以把電能轉(zhuǎn)換成磁能并儲(chǔ)存起來(lái),當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí),會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng),電磁場(chǎng)的大小與電流成正比。
常見(jiàn)的可變電容器主要有單聯(lián)可變電容器、雙聯(lián)可變電容器、多聯(lián)可變電容器以及微調(diào)電容器。多聯(lián)電容器是多個(gè)電容器制成一體,可同步調(diào)整。
核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):
具有高功率密度、高效率;
以相移全橋(PSFB)實(shí)現(xiàn)雙向能量轉(zhuǎn)換器;
具有20μs 140%加負(fù)荷;
以CFD7系列MOS實(shí)現(xiàn)高效率可能性;
具有多種保護(hù)模式和可配置參數(shù),提高產(chǎn)品設(shè)計(jì)靈活度。
方案規(guī)格:
輸入電壓及頻率操作為:DC 380V;
輸出電壓為:60V - 40V;
降壓模式效率高達(dá)98%,升壓模式效率高達(dá)97%;
功率密度為4.34 W/cm³(71.19 W/in³);
采用ThinPAK 封裝的Infineon CoolMOS™ CFD7。
產(chǎn)品功率拓?fù)錇榉醇ず屯秸鳎秸麟娐饭ぷ髟磔^為簡(jiǎn)單,即IC通過(guò)檢測(cè)同步整流MOS 管源漏級(jí)電壓,當(dāng)反激原邊MOS管開(kāi)通時(shí),IC檢測(cè)到源級(jí)電壓低于漏級(jí)電壓,同步整流MOS管關(guān)斷;
當(dāng)反激原邊MOS管關(guān)斷時(shí),電感電壓感應(yīng)電壓反向,IC檢測(cè)到源級(jí)電壓高于漏級(jí)電壓,給出驅(qū)動(dòng)信號(hào)同步整流MOS 管正向?qū)ā?/span>
從測(cè)量結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),在空白導(dǎo)通時(shí)間內(nèi),SR采樣腳處電壓始終在振蕩,在1.2us結(jié)束時(shí),依然有高頻的振蕩波峰幅值。
熱門點(diǎn)擊
- BMS系統(tǒng)更全面精確地監(jiān)測(cè)和管理電池狀態(tài)提高
- 減少數(shù)據(jù)遷移可以降低時(shí)延和功耗進(jìn)而加快數(shù)據(jù)處
- 自定義內(nèi)存配置及某些像卷積和轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)等可以使
- SLC閃存還要耐用P/E壽命此前也就是1萬(wàn)到
- 光耦缺點(diǎn)隨使用時(shí)間或者周圍環(huán)境溫度增加反饋特
- 機(jī)翼油箱遠(yuǎn)離客艙使旅客更為安全現(xiàn)代飛機(jī)的機(jī)翼
- 石英管實(shí)物外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)若石英管損壞引起微波
- 16個(gè)內(nèi)存插槽最大擴(kuò)展至192GB性能升級(jí)空
- CV3-AD系列現(xiàn)覆蓋從主流到中高端乘用車所
- MSP430單片機(jī)自帶ADC12模塊將所采集
推薦技術(shù)資料
- DFRobot—玩的就是
- 如果說(shuō)新車間的特點(diǎn)是“靈動(dòng)”,F(xiàn)QPF12N60C那么... [詳細(xì)]
- 扇出型面板級(jí)封裝(FOPLP)
- 全球首款無(wú)掩模光刻系統(tǒng)—DSP
- 紫光閃存E5200 PCIe 5.0 企業(yè)級(jí)
- NAND Flash 技術(shù)和系
- 高性能DIMM 內(nèi)存數(shù)據(jù)技術(shù)封
- PCIe Gen4 SSD主控
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究