XMC4200是一款基于Arm® Cortex®-M4內(nèi)核的工業(yè)級(jí)微控制器,具有16位和32位Thumb2指令集,DSP/MAC指令,浮點(diǎn)單元,存儲(chǔ)器保護(hù)單元以及嵌套矢量中斷控制器。

內(nèi)部集成了16KB引導(dǎo)ROM，擁有多達(dá)16KB高速程序存儲(chǔ)器、24KB高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和256KB帶閃存以及豐富的通信外設(shè)，能夠在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)出色的性能。

CFD7系列具有集成快速體二極管的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的產(chǎn)品，非常適用于高功率SMPS應(yīng)用，如服務(wù)器/電信/EV充電站等。

此種方案受限于變壓器設(shè)計(jì)及制作工藝，實(shí)測時(shí)所用變壓器原邊為265uH電感，5.6uH漏感，此類僅2.1%漏感變壓器繼續(xù)優(yōu)化較困難。

主MOS關(guān)斷時(shí)的原邊振蕩為變壓器漏感、層間電容及主MOS 結(jié)電容的振蕩。查看原理圖可知，其設(shè)計(jì)上額外在MOS 的DS 間添加并聯(lián)電容C410。

由振蕩頻率公式（ LK為變壓器漏感，Cp為等效電容， Cp=C410+MOS 結(jié)電容）可知：減小C410，即減小Cp可以提高振蕩頻率，在同樣阻尼衰減的作用下，高頻率的振蕩能夠在更快的時(shí)間內(nèi)達(dá)到平穩(wěn)，也就是可以搶在副邊SR采樣消隱時(shí)間內(nèi)，把振蕩幅值以及對(duì)副邊的影響降到最低。

在更換同步整流控制IC后啟機(jī)效率明顯降低，首先從同步整流工作異常開始著手測量。

在同步整流驅(qū)動(dòng)波形測量的同時(shí)用熱成像儀測量同步整流MO管的溫度，結(jié)果顯示器件在常溫下工作一分鐘左右溫度已經(jīng)高達(dá)130℃，明顯異常。