AHB拓?fù)洳恍枰诙䝼�輸出濾波器，因此整體解決方案成本更低、體積更小。

LMG3624集成式GaN FET具有集成“無損”電流檢測功能,可通過降低功率損耗來幫助進(jìn)一步提高效率。

在65WACF中，集成電流檢測的損耗不到10mW，而傳統(tǒng)電流檢測方案的損耗約為170mW。任何需要電流模式控制的拓?fù)洌òˋCF、AHB等）都將大大受益于這種大幅降低的損耗，并實(shí)現(xiàn)更高效的整體解決方案。

在大部分情況下，一旦功率水平達(dá)到70W以上，便需要功率因數(shù)校正(PFC)級。

在設(shè)計現(xiàn)代消費(fèi)級USB Type-C移動充電器、PC電源和電視電源時，面臨的挑戰(zhàn)是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持甚至提高功率水平。

低功耗氮化鎵(GaN)器件有助于在各種最流行的拓?fù)渲薪鉀Q這一問題，同時提供散熱、尺寸和集成方面的優(yōu)勢。

在PFC級中，如果希望利用GaN的功能，則需要考慮圖騰柱PFC拓?fù)洹?/span>

在QR反激式拓?fù)�、ZVS反激式拓?fù)浜蛡鹘y(tǒng)升壓PFC拓?fù)渲胁捎肎aN變得越來越常見，因為只需用GaN FET替換單個開關(guān)FET，即可看到效率和開關(guān)頻率能力的提升（主要得益于GaN較低的輸入電容可以降低關(guān)斷損耗）。

此外，LMG3624 GaN FET具有低靜態(tài)電流，其待機(jī)模式還可以進(jìn)一步降低靜態(tài)電流。QR、ZVS和升壓PFC拓?fù)湟彩芤嬗贚MG3624中集成的無損電流檢測功能。