所有拓?fù)渲泄δ芎蛢?yōu)勢(shì)其多功能性有助于滿足這些應(yīng)用要求
發(fā)布時(shí)間:2024/1/12 13:32:04 訪問(wèn)次數(shù):94
LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)湟呀?jīng)存在了幾十年，在筆記本電腦適配器和電視電源等固定輸出電壓應(yīng)用中很受歡迎，這些應(yīng)用尚未普遍采用USB Type-C控制器來(lái)提供輸出電壓。與大多數(shù)半橋直流/直流拓?fù)湎啾�，LLC拓?fù)溥�將實(shí)現(xiàn)更高的變壓器效率。
隨著對(duì)更小、更高效的交流/直流解決方案的需求不斷增長(zhǎng)，消費(fèi)者更喜歡更便攜的較小適配器。
更薄的PSU也為更纖薄的高端電視鋪平了道路。LMG3624提供可集成到本文所述的所有拓?fù)渲械墓δ芎蛢?yōu)勢(shì)，其多功能性有助于滿足這些應(yīng)用的要求。
去除橋式整流器后，由于反向恢復(fù)損耗為零，GaN FET在這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的價(jià)值得以增強(qiáng)。
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)具有體二極管，可產(chǎn)生高反向恢復(fù)電荷，而碳化硅(SiC)在反向恢復(fù)電荷方面的改進(jìn)很小，因此MOSFET幾乎無(wú)法在這種拓?fù)渲惺褂谩Ａ硪环矫�，LMG3624提供可調(diào)節(jié)的壓擺率，有助于在系統(tǒng)中找到電磁干擾和效率的合理平衡點(diǎn)。
有源鉗位反激式(ACF)拓?fù)浜头菍?duì)稱半橋(AHB)拓?fù)溆兄诟笙薅忍岣咧绷?直流級(jí)效率和功率密度。
ACF和AHB拓?fù)洳幌駵?zhǔn)諧振(QR)反激式拓?fù)浠蛄汶妷洪_(kāi)關(guān)(ZVS)反激式拓?fù)淠菢邮褂糜袚p緩沖器鉗位，而是能夠?qū)⑿孤┠芰炕厥盏捷敵龆�，因此可以進(jìn)一步提高效率。這兩種拓?fù)溥�能夠完全消除低側(cè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)上的電壓尖峰，從而在次級(jí)側(cè)啟用低壓同步整流器FET。
LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)湟呀?jīng)存在了幾十年，在筆記本電腦適配器和電視電源等固定輸出電壓應(yīng)用中很受歡迎，這些應(yīng)用尚未普遍采用USB Type-C控制器來(lái)提供輸出電壓。與大多數(shù)半橋直流/直流拓?fù)湎啾�，LLC拓?fù)溥�將實(shí)現(xiàn)更高的變壓器效率。
隨著對(duì)更小、更高效的交流/直流解決方案的需求不斷增長(zhǎng)，消費(fèi)者更喜歡更便攜的較小適配器。
更薄的PSU也為更纖薄的高端電視鋪平了道路。LMG3624提供可集成到本文所述的所有拓?fù)渲械墓δ芎蛢?yōu)勢(shì)，其多功能性有助于滿足這些應(yīng)用的要求。
去除橋式整流器后，由于反向恢復(fù)損耗為零，GaN FET在這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的價(jià)值得以增強(qiáng)。
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)具有體二極管，可產(chǎn)生高反向恢復(fù)電荷，而碳化硅(SiC)在反向恢復(fù)電荷方面的改進(jìn)很小，因此MOSFET幾乎無(wú)法在這種拓?fù)渲惺褂�。另一方面，LMG3624提供可調(diào)節(jié)的壓擺率，有助于在系統(tǒng)中找到電磁干擾和效率的合理平衡點(diǎn)。
有源鉗位反激式(ACF)拓?fù)浜头菍?duì)稱半橋(AHB)拓?fù)溆兄诟笙薅忍岣咧绷?直流級(jí)效率和功率密度。
ACF和AHB拓?fù)洳幌駵?zhǔn)諧振(QR)反激式拓?fù)浠蛄汶妷洪_(kāi)關(guān)(ZVS)反激式拓?fù)淠菢邮褂糜袚p緩沖器鉗位，而是能夠?qū)⑿孤┠芰炕厥盏捷敵龆�，因此可以進(jìn)一步提高效率。這兩種拓?fù)溥�能夠完全消除低側(cè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)上的電壓尖峰，從而在次級(jí)側(cè)啟用低壓同步整流器FET。
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