谷底導(dǎo)通MOSFET解決傳統(tǒng)QR模式中谷底跳變引起的異音問題
發(fā)布時(shí)間:2024/2/4 23:14:55 訪問次數(shù):274
攻螺紋用絲錐在圓孔內(nèi)切削出陰螺紋的操作叫攻螺紋。使用的工具是絲錐和絲錐絞杠。
底孔直徑應(yīng)比螺紋大徑小1~1.05倍螺距,孔口應(yīng)倒角。攻螺紋時(shí),絲錐應(yīng)與工件垂直,開始時(shí)可稍微施加壓力,隨后均勻轉(zhuǎn)動(dòng)絞杠,并經(jīng)常倒轉(zhuǎn)以利排屑。應(yīng)按頭錐、二錐、三錐順序攻至標(biāo)準(zhǔn)尺寸。應(yīng)隨時(shí)添加切削液,攻鋼件時(shí)用機(jī)油,攻鑄鐵時(shí)用煤油。
套螺紋用板牙在圓桿或圓管上切削出陽(yáng)螺紋的操作叫套螺紋。使用的工具是板牙和板牙絞杠。圓桿或圓管外徑應(yīng)比螺紋大徑小0.13倍螺距,外端應(yīng)先倒30°角。
此外,該系列芯片還使用了自有的谷底鎖定專利技術(shù),當(dāng)出現(xiàn)谷底跳變時(shí),會(huì)根據(jù)負(fù)載選定在特定的谷底開通MOSFET,并通過邏輯控制使它保持鎖定在這個(gè)谷底導(dǎo)通MOSFET,解決了傳統(tǒng)QR模式中谷底跳變引起的異音問題。
低壓升頻技術(shù),減小了變壓器體積,并改善了高低壓OCP一致性.
SDH866XQ系列芯片還使用多項(xiàng)技術(shù),如:
抖頻控制技術(shù):在系統(tǒng)工作于CCM或QR模式時(shí)采用不同的抖頻策略,優(yōu)化抖頻控制,有效的降低了系統(tǒng)EMI噪聲。以12V/1.25A整機(jī)為例,QR模式下,采用優(yōu)化抖頻后的SDH8664Q比無抖頻IC的傳導(dǎo)噪聲低5dB左右。
VCC HOLD功能:可以防止輕載或動(dòng)態(tài)切換時(shí)芯片欠壓重啟
完善的保護(hù)功能:包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown-Out, 輸入OVP,輸出OVP,原邊電流采樣電阻短路保護(hù),輸出短路保護(hù),副邊整流管短路保護(hù)等.
攻螺紋用絲錐在圓孔內(nèi)切削出陰螺紋的操作叫攻螺紋。使用的工具是絲錐和絲錐絞杠。
底孔直徑應(yīng)比螺紋大徑小1~1.05倍螺距,孔口應(yīng)倒角。攻螺紋時(shí),絲錐應(yīng)與工件垂直,開始時(shí)可稍微施加壓力,隨后均勻轉(zhuǎn)動(dòng)絞杠,并經(jīng)常倒轉(zhuǎn)以利排屑。應(yīng)按頭錐、二錐、三錐順序攻至標(biāo)準(zhǔn)尺寸。應(yīng)隨時(shí)添加切削液,攻鋼件時(shí)用機(jī)油,攻鑄鐵時(shí)用煤油。
套螺紋用板牙在圓桿或圓管上切削出陽(yáng)螺紋的操作叫套螺紋。使用的工具是板牙和板牙絞杠。圓桿或圓管外徑應(yīng)比螺紋大徑小0.13倍螺距,外端應(yīng)先倒30°角。
此外,該系列芯片還使用了自有的谷底鎖定專利技術(shù),當(dāng)出現(xiàn)谷底跳變時(shí),會(huì)根據(jù)負(fù)載選定在特定的谷底開通MOSFET,并通過邏輯控制使它保持鎖定在這個(gè)谷底導(dǎo)通MOSFET,解決了傳統(tǒng)QR模式中谷底跳變引起的異音問題。
低壓升頻技術(shù),減小了變壓器體積,并改善了高低壓OCP一致性.
SDH866XQ系列芯片還使用多項(xiàng)技術(shù),如:
抖頻控制技術(shù):在系統(tǒng)工作于CCM或QR模式時(shí)采用不同的抖頻策略,優(yōu)化抖頻控制,有效的降低了系統(tǒng)EMI噪聲。以12V/1.25A整機(jī)為例,QR模式下,采用優(yōu)化抖頻后的SDH8664Q比無抖頻IC的傳導(dǎo)噪聲低5dB左右。
VCC HOLD功能:可以防止輕載或動(dòng)態(tài)切換時(shí)芯片欠壓重啟
完善的保護(hù)功能:包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown-Out, 輸入OVP,輸出OVP,原邊電流采樣電阻短路保護(hù),輸出短路保護(hù),副邊整流管短路保護(hù)等.
熱門點(diǎn)擊
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