一個典型的移動電話產(chǎn)品中射頻和基帶的需要，就要能制作1pF～100nF范圍的電容。

集成無源技術(shù)雖然只能提供 0.25pF～500pF范圍的電容值，但仍能滿足典型的射頻 IPD、單功能射頻模塊和完整的射頻模塊子系統(tǒng)的所有要求。

必須特別注意的是，在設(shè)計這些集成無源 MIM 結(jié)構(gòu)電容時，要確保極低的電極串聯(lián)電阻和最小的對地寄生電容。這些電容元件具有很小的固有寄生電感。這些元件的結(jié)構(gòu)和工藝都須經(jīng)過專門設(shè)計，以確保達到規(guī)定的擊穿電壓（通常保證最低50V的直流電壓）。

薄膜電阻材料主要是根據(jù)它們的電阻率、工藝的兼容性和電阻的溫度系數(shù)(TCR)來選定的。通常還要求在加負(fù)載情況下性能穩(wěn)定性優(yōu)于0.5%。

在溫度變化時，相鄰電阻器的跟蹤精度與匹配精度均優(yōu)于0.5%。有代表性的集成無源薄膜電阻材料的特性。

在通常的移動電話產(chǎn)品中，電感元件只占元件總數(shù)的不到10%，電感值在1～100nH范圍里，但是它們對總的射頻性能有很重要的影響。

氮化鉭也許是薄膜集成無源技術(shù)中使用最廣泛的電阻材料，因為它為100Ω/單位的薄膜電阻提供了合理的厚度和很低的溫度系數(shù)。

這種材料還可用干法工藝刻蝕，能制備高精度的幾何圖形。這些薄膜電阻一般在整個工藝流程前期制作，通常直接制作在基本襯底表面，以求達到最優(yōu)的圖形制作精度，并有利于加負(fù)載情況下的散熱。